イオン注入装置

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：福森久夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-206742
公開番号（公開出願番号）：特開平7-065778
出願日： 1993年08月20日
公開日（公表日）： 1995年03月10日
要約：

【要約】【目的】本発明は、金属不純物汚染を低減したイオン注入装置を提供することを目的とする。【構成】半導体基板に対し加速されたイオンビームを照射することにより、前記半導体基板に所定の不純物を導入するイオン注入装置において、イオンビームの進行方向に見て、前記半導体基板の後方に位置する部材の前記イオンビームにより照射される部分が、前記半導体基板を構成する半導体、もしくはその酸化物、もしくはその窒化物のうち少なくとも一つを主成分とする材料で構成されているか、またはその表面が該材料で覆われていることを特徴とする。また、イオンビームの進行方向に見て、前記半導体基板の後方に位置する部材が、前記イオンビームにより照射されない様に構成したことを特徴とする。

請求項（抜粋）：

半導体基板に対し加速されたイオンビームを照射することにより、前記半導体基板に所定の不純物を導入するイオン注入装置において、イオンビームの進行方向に見て、前記半導体基板の後方に位置する部材の前記イオンビームにより照射される部分が、前記半導体基板を構成する半導体、もしくはその酸化物、もしくはその窒化物のうち少なくとも一つを主成分とする材料で構成されているか、またはその表面が該材料で覆われていることを特徴とするイオン注入装置。

IPC (2件)：

H01J 37/317 , H01L 21/265

FI (2件)：

H01L 21/265 D , H01L 21/265 E

引用特許：

審査官引用 (7件)

特開平3-046741
特開平4-363854
特開昭61-013542

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