半導体装置およびその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：金田暢之 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-207451
公開番号（公開出願番号）：特開2001-035933
出願日： 1999年07月22日
公開日（公表日）： 2001年02月09日
要約：

【要約】【課題】良好なラッチアップ耐性を有する内部回路部と、良好な静電サージ耐性を有する入出力保護回路部とを備える半導体装置を提供すること。【解決手段】内部回路部に含まれるウェル領域が、下層部に不純物高濃度領域4および5、ならびに上層部に不純物低濃度領域2および3を含んでいるのに対し、入出力保護回路部に含まれるウェル領域は、不純物低濃度領域11および12のみを含んでいる。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に形成された互いに異なる導電型の第一ウェル領域および第二ウェル領域と、該第一ウェル領域および第二ウェル領域にそれぞれ形成されたトランジスタとを含んでなるCMOSを備えた内部回路部と、前記半導体基板上に形成された互いに異なる導電型の第三ウェル領域および第四ウェル領域と、該第三ウェル領域および第四ウェル領域にそれぞれ形成されたトランジスタとを含んでなるCMOSを備えた入出力保護回路部とを有する半導体装置であって、前記第一ウェル領域および第二ウェル領域は、不純物低濃度領域と、その下方に設けられた該不純物低濃度領域と同じ導電型の不純物高濃度領域とを含んでなり、前記第三ウェル領域および第四ウェル領域は、不純物低濃度領域からなることを特徴とする半導体装置。

IPC (4件)：

H01L 21/8238 , H01L 27/092 , H01L 27/04 , H01L 21/822

FI (3件)：

H01L 27/08 321 B , H01L 27/04 H , H01L 27/08 321 H

Fターム (25件)：

5F038BH06 , 5F038BH13 , 5F038BH18 , 5F038EZ01 , 5F038EZ13 , 5F038EZ20 , 5F048AA02 , 5F048AA03 , 5F048AA09 , 5F048AC03 , 5F048BA01 , 5F048BA12 , 5F048BD04 , 5F048BE01 , 5F048BE02 , 5F048BE03 , 5F048BE05 , 5F048BE06 , 5F048BE09 , 5F048BG12 , 5F048CC09 , 5F048CC13 , 5F048CC15 , 5F048CC16 , 5F048CC19

引用特許：

審査官引用 (5件)

特開平4-324973
特開昭62-239567
特開平3-159270

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