特許
J-GLOBAL ID:200903009981397307

半導体装置およびその製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 山本 秀策
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平9-240078
公開番号(公開出願番号):特開平10-135351
出願日: 1997年09月04日
公開日(公表日): 1998年05月22日
要約:
【要約】【課題】 工程数の最小限の増加のみで、トリプルウェル構造を有する高性能な半導体装置を製造する。【解決手段】 半導体装置が、ある導電型を有する基板と、該基板の中に形成された該基板と同じ導電型を有する第1のウェルと、該基板の中に形成された該基板と逆の導電型を有する第2のウェルと、該基板の中の深い位置に形成された該基板と逆の導電型を有する埋め込みウェルと、を備えている。この半導体装置は、該第1のウェルの下面の少なくとも一部に接するように形成された、該基板と同じ導電型の埋め込みウェルをさらに備えており、それによって、該第1のウェルの少なくとも一部は電気的に該基板に接続している。
請求項(抜粋):
ある導電型を有する基板と、該基板の中に形成された、該基板と同じ導電型を有する第1のウェルと、該基板の中に形成された、該基板と逆の導電型を有する第2のウェルと、該基板の中の深い位置に形成された、該基板と逆の導電型を有する埋め込みウェルと、を備える半導体装置であって、該第1のウェルの下面の少なくとも一部に接するように形成された、該基板と同じ導電型の埋め込みウェルをさらに備えており、それによって、該第1のウェルの少なくとも一部は電気的に該基板に接続している、半導体装置。
IPC (2件):
H01L 21/8238 ,  H01L 27/092
引用特許:
審査官引用 (4件)
  • 半導体集積回路装置
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平5-168053   出願人:株式会社東芝, 東芝マイクロエレクトロニクス株式会社
  • 特開平2-305437
  • 特開平4-061269
全件表示

前のページに戻る