特許
J-GLOBAL ID：200903029023535681

2次元イメージ素子及びそれを利用した2次元イメージ検出装置並びにX線分析装置

発明者：
松下 一之

松下 一之 について


出願人/特許権者：
株式会社リガク

株式会社リガク について


代理人 (3件)： 小川 勝男 ,  田中 恭助 ,  佐々木 孝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-357915
公開番号（公開出願番号）：特開2005-121528
出願日： 2003年10月17日
公開日（公表日）： 2005年05月12日
要約：
【課題】 電磁放射線のリアルタイム測定が可能で小型かつ容易に装置内に搭載可能な2次元イメージ素子、それを利用した検出装置、X線分析装置を提供する。【解決手段】 2次元イメージ素子10は、シリコンなどの電磁放射線に感度を有する半導体から形成し互いに隣接して並列に配置された複数のストリップ状の半導体検出素子100と、上記半導体検出素子100の上面に直交する方向に互いに隣接して並列に配置され、やはり電磁放射線に感度を有する半導体からなる複数のストリップ状の半導体検出素子200とから構成され、これら半導体検出素子100と200の重なり部分によって、平面状に多数の検出部300を形成する。検出部300へ入射したX線は、上層(Y軸)の半導体検出素子200により電気信号へ変換され、蛍光X線を発生し、下層(X軸)の半導体検出素子100により電気信号へ変換される。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
電磁放射線を2次元で検知する2次元イメージ素子であって、電磁放射線に感度を有する半導体からなり、かつ、互いに隣接して並列に配置された複数のストリップ状の第1の検出素子と、前記複数のストリップ状の第1の検出素子の一方の面上に配置され、電磁放射線に感度を有する半導体からなり、かつ、前記ストリップ状の第1の検出素子に対して直交する方向に互いに隣接して並列に配置された複数のストリップ状の第2の検出素子とから構成され、前記第1の半導体検出素子と前記第2の半導体検出素子との重なり部分によって複数の検出部を平面に形成したことを特徴とする2次元イメージ素子。
IPC (5件)：
G01T1/24 ,  G01N23/207 ,  H01L27/14 ,  H01L31/09 ,  H04N5/32
FI (5件)：
G01T1/24 ,  G01N23/207 ,  H04N5/32 ,  H01L31/00 A ,  H01L27/14 K
Fターム (53件)：
2G001AA01 ,  2G001BA11 ,  2G001BA18 ,  2G001BA30 ,  2G001CA01 ,  2G001DA01 ,  2G001DA09 ,  2G001DA10 ,  2G001EA03 ,  2G001EA20 ,  2G001FA06 ,  2G001GA06 ,  2G001HA13 ,  2G001LA05 ,  2G001LA10 ,  2G088EE01 ,  2G088EE30 ,  2G088FF02 ,  2G088GG21 ,  2G088JJ05 ,  4M118AA10 ,  4M118AB01 ,  4M118BA05 ,  4M118CA05 ,  4M118CB01 ,  4M118CB05 ,  4M118FB09 ,  4M118FB19 ,  4M118FB23 ,  4M118FB25 ,  4M118GA10 ,  5C024AX12 ,  5C024GX09 ,  5C024GY31 ,  5F088AA03 ,  5F088AB03 ,  5F088BA15 ,  5F088BA16 ,  5F088BA20 ,  5F088BB03 ,  5F088DA01 ,  5F088DA17 ,  5F088DA20 ,  5F088EA03 ,  5F088EA04 ,  5F088EA11 ,  5F088FA02 ,  5F088GA04 ,  5F088GA07 ,  5F088GA08 ,  5F088HA15 ,  5F088KA02 ,  5F088LA08
引用特許：
出願人引用 (3件)

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