特許
J-GLOBAL ID：200903029032194668
不揮発性半導体記憶装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
菅野 中
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-136878
公開番号（公開出願番号）：特開平11-328987
出願日： 1998年05月19日
公開日（公表日）： 1999年11月30日
要約：
【要約】【課題】 内部に基準となる電流源をもつことによりメモリセルと定電流源を切り替えるのみでリファレンスセルの閾値電圧をモニタする。【解決手段】 メモリセルアレイ103からセンスアンプ105を通して出力される電圧とリファレンス回路106から出力される電圧を差動部201にて比較検査する機能を有する不揮発性半導体記憶装置を対象とするものであり、定電流源回路109と、制御回路108とを有している。定電流源回路109は、センスアンプ105に対してメモリセルアレイ103と並列に配置され、リファレンス回路106の閾値電圧モニタ用信号を出力するようになっている。制御回路108は、並列配置のメモリセルアレイ103と定電流源回路109との出力信号を切り替えるようになっている。
請求項（抜粋）：
メモリセルアレイから出力される信号とリファレンス回路から出力される信号を差動部にて比較検査する機能を有する不揮発性半導体記憶装置であって、定電流源回路と、制御回路とを有し、前記定電流源回路は、前記メモリセルアレイと並列に配置され、前記リファレンス回路の閾値モニタ用信号を出力するものであり、前記制御回路は、並列配置の前記メモリセルアレイと前記定電流源回路との出力信号を切り替えるものであることを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。
IPC (2件)：
G11C 16/06
, G11C 15/04 631
G11C 17/00 634 E
, G11C 15/04 631 F
, G11C 17/00 632 C
