特許

J-GLOBAL ID：200903029065453219

薄膜デバイスおよび薄膜インダクタ

発明者： 政井 琢
出願人/特許権者： TDK株式会社
代理人 (2件)： 三反崎 泰司 ,  藤島 洋一郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-267488
公開番号（公開出願番号）：特開2007-123866
出願日： 2006年09月29日
公開日（公表日）： 2007年05月17日
要約：

【課題】導電性膜の密着性および磁性膜の磁気特性を確保することにより作動性能を確保することが可能な薄膜デバイスを提供する。【解決手段】基板1の表面粗さ(算術平均粗さRa)が、Xμm≦Ra≦0.1μmの範囲内である。この表面粗さRaの下限Xは、導電性膜2の内部応力σ、厚さTおよび単位長さ当たりの付着力Pを含む一連のパラメータに基づいて決定される値である。アンカー効果を利用して導電性膜2の密着性が確保されると共に、表面凹凸構造を有する基板1に磁性膜3が設けられている場合においても磁気特性(透磁率)が確保される。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

下記の式(1)および式(2)で表される範囲内の表面粗さを有する基板に、導電性膜および磁性膜が積層されている ことを特徴とする薄膜デバイス。 Xμm≦Ra≦0.1μm ......(1) X=[(σ2 T2 W2 -W2 P2 )/16P2 ]0.5 ......(2) 但し、 Ra:基板の表面粗さ(算術平均粗さ;μm) σ:導電性膜の内部応力(MPa) T:導電性膜の厚さ(μm) W:基板の表面に凹凸が均一に設けられていると仮定した場合における凹凸の幅(μm) P:導電性膜の単位長さ当たりの付着力(MPa)

IPC (2件)：

H01F 10/26 ,  H01F 17/04

FI (2件)：

H01F10/26 ,  H01F17/04 F

Fターム (7件)：

5E049BA14 ,  5E049DB04 ,  5E049DB12 ,  5E070AA01 ,  5E070AB01 ,  5E070BA11 ,  5E070CB13

引用特許：

出願人引用 (2件)

• マイクロインダクタ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-334687   出願人：ヤマハ株式会社
• アモルフアスコーテイング法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-281278   出願人：動力炉・核燃料開発事業団, 三井造船株式会社