不揮発性半導体記憶装置

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鈴江武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-170411
公開番号（公開出願番号）：特開平10-022403
出願日： 1996年06月28日
公開日（公表日）： 1998年01月23日
要約：

【要約】【課題】制御ゲート〜基板間に印加される書き込み電圧を、従来のメモリセルと同等としたとき、従来のメモリセル以上に書き込み速度が向上する、および書き込み速度を、従来のメモリセルと同等としたときには、従来のメモリセル以上に書き込み電圧を低下できる不揮発性半導体記憶装置を提供すること。【解決手段】 P型シリコン基板1と、このシリコン基板1上にトンネル酸化膜5を介して形成された浮遊ゲート6とを具備するEEPROMのメモリセルであって、素子領域4を素子分離領域3から突出させ、突出した素子領域4と素子分離領域3との境界に沿った境界部分222を、トンネル酸化膜5が絶縁破壊されない範囲でトンネル電流が集中するように丸めることで、トンネル電流が、トンネル酸化膜5中を偏在して流れるようにしたことを特徴とする。

請求項（抜粋）：

半導体基板と、前記基板に設けられた素子分離領域と、前記素子分離領域により分離されたメモリセルを形成するための素子領域と、前記素子領域上にトンネル絶縁膜を介して形成された浮遊ゲートと、前記浮遊ゲートおよび前記トンネル絶縁膜を介して前記素子領域に容量結合される制御ゲートとを含む、電気的に情報の書き替えが可能なメモリセルを複数配列してなるメモリセルアレイを具備し、前記素子領域は、その少なくとも一部が、前記浮遊ゲートに対し、実質的に曲率を持って対向する凸状の曲面部分と、実質的に平坦に対向する平坦部分とを有しながら、前記浮遊ゲートに向かって突出した形状を有していることを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。

IPC (4件)：

H01L 21/8247 , H01L 29/788 , H01L 29/792 , H01L 27/115

FI (2件)：

H01L 29/78 371 , H01L 27/10 434

引用特許：

審査官引用 (1件)

不揮発性半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-207181 出願人：株式会社東芝

前のページに戻る