特許
J-GLOBAL ID：200903029073829996
高分子薄膜積層基板の切断方法
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
大島 道男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-232509
公開番号（公開出願番号）：特開平8-071777
出願日： 1994年09月02日
公開日（公表日）： 1996年03月19日
要約：
【要約】【目的】 非常に表面平滑性に優れ、電気光学効果が大きく、測定感度が高く、操作性に優れた実用的な高分子薄膜積層基板の切断方法を提供する。【構成】 有機非線形光学材料を含む高分子薄膜3を第1の基板2上に形成させ、高電界を印加することにより、該有機非線形光学材料分子を分極処理する。次いで、この積層体の高分子薄膜側に第2の基板7を積層して、第1の基板2を剥離する。所望の大きさにレーザー光8を用いて高分子薄膜3を切断し、さらに第2の基板7を光学的手段を用いない切断機9で切断する。
請求項（抜粋）：
高分子薄膜積層基板の切断方法において、レーザー光を用いて前記高分子薄膜を切断する第1の工程と、光学的手段を用いずに前記基板を切断する第2の工程からなることを特徴とする高分子薄膜積層基板の切断方法。
IPC (4件)：
B23K 26/00
, B23K 26/00 320
, G01R 29/12
, G02F 1/35 504
