特許

J-GLOBAL ID：200903029077840137

半導体集積回路装置

発明者： 藤井 宣亨 ,  梶山 新也
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 徳若 光政
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-090610
公開番号（公開出願番号）：特開2000-286648
出願日： 1999年03月31日
公開日（公表日）： 2000年10月13日
要約：

【要約】【課題】 高速化及び高ゲインを実現した増幅回路を備えた半導体集積回路装置を提供する。【解決手段】 第1導電型の第1増幅MOSFETのドレインにゲートとドレインが接続された第2導電型の第1MOSFETを接続し、上記第1MOSFETと電流ミラー形態とされた第2MOSFETのドレインを上記第1増幅MOSFETと差動形態にされた第2増幅MOSFETのドレインに接続したシングルエンド型差動アンプを2個直列形態に接続し、前段の差動アンプには互いに逆相の小振幅入力信号を供給し、後段のシングルエンド型差動アンプの上記第1増幅MOSFETに対応したMOSFETのゲートには、上記第2増幅MOSFETのドレイン出力信号を入力し、上記第2増幅MOSFETに対応したMOSFETののゲートには、上記第1増幅MOSFETのドレイン出力信号を入力して上記第2増幅MOSFETに対応したMOSFETのドレインから出力信号を得る。

請求項（抜粋）：

差動形態にされた第1導電型の第1増幅MOSFET及び第2増幅MOSFETと、上記第1増幅MOSFETのドレインにゲートとドレインが接続された第2導電型の第1MOSFETと、上記第1MOSFETとゲート及びソースが接続されて電流ミラー形態とされ、そのドレインが上記第2増幅MOSFETのドレインに接続された第2導電型の第2MOSFETとを含む第1のシングルエンド型差動アンプと、差動形態にされた第1導電型の第3増幅MOSFET及び第4増幅MOSFETと、上記第3増幅MOSFETのドレインにゲートとドレインが接続された第2導電型の第3MOSFETと、上記第3MOSFETとゲート及びソースが接続されて電流ミラー形態とされ、そのドレインが上記第4増幅MOSFETのドレインに接続された第2導電型の第4MOSFETとを含む第2のシングルエンド型差動アンプを備え、上記第1のシングルエンド型差動アンプの上記第1と第2増幅MOSFETのゲートには、互いに逆相にされた小振幅の入力信号が供給され、上記第2のシングルエンド型差動アンプの上記第3増幅MOSFETのゲートには上記第2増幅MOSFETのドレイン出力信号を供給し、上記第4増幅MOSFETのゲートには上記第1増幅MOSFETのドレイン出力信号を供給し、上記第4増幅MOSFETのドレインから出力信号を得るようにした増幅回路を具備することを特徴とする半導体集積回路装置。

IPC (2件)：

H03F 3/45 ,  H03K 19/0944

FI (2件)：

H03F 3/45 A ,  H03K 19/094 A

Fターム (26件)：

5J056AA32 ,  5J056BB02 ,  5J056CC01 ,  5J056CC02 ,  5J056DD13 ,  5J056DD39 ,  5J056EE06 ,  5J056EE12 ,  5J056FF08 ,  5J056GG07 ,  5J056GG14 ,  5J056KK01 ,  5J066AA03 ,  5J066AA12 ,  5J066AA13 ,  5J066CA85 ,  5J066FA09 ,  5J066FA15 ,  5J066HA01 ,  5J066HA10 ,  5J066KA02 ,  5J066KA06 ,  5J066MA08 ,  5J066ND05 ,  5J066TA01 ,  5J066TA02

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 平衡型増幅器
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-119626   出願人：株式会社東芝
• 特開平3-230604