特許
J-GLOBAL ID：200903029100265358
半導体レーザの製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
高山 敏夫 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-244576
公開番号（公開出願番号）：特開平8-083953
出願日： 1994年09月12日
公開日（公表日）： 1996年03月26日
要約：
【要約】【目的】 リッジ構造の半導体レーザの作製工程を簡略化し、製造コストを大幅に低減すること。【構成】 レーザ基板41上に窒化膜44を形成し、この上にポリジメチルグルタルイミドを主成分とするレジスト(以下PMGIという)を塗布し、ベーキングし(a)、更にその上にフォトレジスト46のマスク層を形成し、47を有するパターン形成し(b)、次にPMGIのエッチバックを行い、窒化膜44を露出させ(c)、さらにリッジ上の窒化膜を除去し(d)、レーザ基板41上のマスクを除去し、電極を形成する。
請求項（抜粋）：
半導体レーザの層構造を有する基板上にリッジを形成する工程と、前記基板全面に絶縁膜を形成する工程と、前記絶縁膜上に樹脂を塗布しリッジを平坦化する工程と、前記樹脂層上にレジストを塗布し、露光・現像によりリッジ周辺部分のレジストを除去する工程と、前記レジストパタンをマスクに前記樹脂層をエッチバックする工程と、リッジ上の絶縁膜をエッチングにより除去する工程と、レジストと樹脂層を剥離する工程と、リッジ上に金属電極を設ける工程とを含む半導体レーザの製造方法において、前記樹脂として、ポリジメチルグルタルイミドを主成分とする樹脂を用いることを特徴とする半導体レーザの製造方法。
引用特許：
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