特許
J-GLOBAL ID:200903029117990560

半導体装置およびそれを用いたインバータ回路

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 池内 寛幸 (外5名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2000-244803
公開番号(公開出願番号):特開2002-057282
出願日: 2000年08月11日
公開日(公表日): 2002年02月22日
要約:
【要約】【課題】 電力スイッチング素子と制御素子を1つの樹脂パッケージに内蔵し、小型、軽量、低価格化を可能にするとともに、ノイズによる誤動作を低減した半導体装置を提供する。【解決手段】 リードフレームが、樹脂パッケージ9の両端に形成され外部との電気的な接続を行う第1および第2接続リード部41、41と、第1接続リード部の側に複数の電力スイッチング素子6-1〜6-6を搭載する複数の第1素子搭載部11-1〜11-6と、第2接続リード部の側に複数の制御素子7-1〜7-3を搭載する複数の第2素子搭載部12-1〜12-3と、複数の第1素子搭載部の間に設けられた第1素子間配線部31と、複数の第2素子搭載部の間に設けられた第2素子間配線部32とを備えて一体成型される。
請求項(抜粋):
リードフレームに搭載された複数の半導体素子が樹脂パッケージ内に封止された半導体装置であって、前記リードフレームは、前記樹脂パッケージの一端に形成された第1接続リード部、および前記一端に対向する他端に形成された第2接続リード部からなり、外部との電気的な接続を行うための複数の接続リード部と、前記第1接続リード部が形成された側に複数の第1半導体素子を搭載するための複数の第1素子搭載部、および前記第2接続リード部が形成された側に、前記第1半導体素子よりも小さな電力で動作する複数の第2半導体素子を搭載するための複数の第2素子搭載部からなり、前記第1半導体素子と前記第2半導体素子を前記リードフレームの同一面に搭載する複数の素子搭載部と、前記第1半導体素子の少なくとも2つを電気的に接続するために、少なくとも前記複数の第1素子搭載部の間に形成された第1素子間配線部、および前記第2半導体素子の少なくとも2つを電気的に接続するために、少なくとも前記複数の第2素子搭載部の間に形成された第2素子間配線部からなる複数の素子間配線部とを備えたことを特徴とする半導体装置。
IPC (4件):
H01L 25/07 ,  H01L 25/18 ,  H01L 21/60 301 ,  H01L 23/50
FI (5件):
H01L 21/60 301 A ,  H01L 23/50 K ,  H01L 23/50 U ,  H01L 23/50 X ,  H01L 25/04 C
Fターム (12件):
5F044AA01 ,  5F044AA12 ,  5F044AA18 ,  5F044AA19 ,  5F044GG03 ,  5F067AA03 ,  5F067AB02 ,  5F067BA03 ,  5F067BE04 ,  5F067CA07 ,  5F067CD03 ,  5F067EA04
引用特許:
審査官引用 (1件)
  • 半導体装置
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平10-310981   出願人:三菱電機株式会社, 菱電セミコンダクタシステムエンジニアリング株式会社

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