電流容量とESD保護とを向上させる集積回路I/O線のためのマルチレベル・メタライゼーション構造

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：社本一夫 (外5名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-082774
公開番号（公開出願番号）：特開平10-022454
出願日： 1997年04月01日
公開日（公表日）： 1998年01月23日
要約：

【要約】【課題】電流容量、静電放電(ESD)保護、及び集積度を向上させる集積回路の入力/出力(I/O)線のためのマルチレベル・メタライゼーション構造を提供すること。【解決手段】第1の金属層(18)を集積回路の半導体サブストレート(12)上に形成し、マイクロエレクトロニクス・デバイス(14)と入力/出力パッド(16)とを相互接続する。第2の金属層(22)は第1の金属層(18)から誘電層(20)によって絶縁され、パッド(16)に直接に接続される。複数のバイア(24)を誘電層(20)を通るように形成し、電流がデバイス(14)とパッド(16)との間を両方の金属層(18、22)とバイア(24)とを介して流れるように、第1及び第2の金属層(18、22)を相互接続する。この構成により、電流容量を減らすことなく金属層の幅を減少させることにより、集積回路の集積度を向上させることができる。

請求項（抜粋）：

マイクロエレクトロニクス・デバイスと入力/出力(I/O)パッドとを集積回路のサブストレート上で電気的に相互接続するメタライゼーション構造であって、前記デバイスと前記パッドとに、その対向する端部において電気的に接続された第1の導電性金属層と、前記パッドと一端において接続された第2の導電性金属層と、前記第1及び第2の金属層の間に形成されこれらの金属層を相互に絶縁する誘電層と、前記誘電層を通過して形成され、前記第1及び第2の金属層にその対向する端部において電気的に接続された複数の導電性のバイアと、を備えることを特徴とするメタライゼーション構造。

IPC (2件)：

H01L 27/04 , H01L 21/822

引用特許：

審査官引用 (7件)

特開昭58-086756
特開平1-243543
特開平4-260352

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