特許
J-GLOBAL ID:200903029128485124
光ディスク原盤及び光ディスク基板の作製方法
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (1件):
平木 祐輔
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2000-192414
公開番号(公開出願番号):特開2002-015474
出願日: 2000年06月27日
公開日(公表日): 2002年01月18日
要約:
【要約】【課題】 溝のテーパ角が大きな大容量の光ディスク基板を製造できる光ディスク原盤を作製する。【解決手段】 石英基板1上に2層のホトレジスト膜2a,2bを形成し、エッチレートが大きく異なるドライエッチング条件を用いることにより、大きなテーパ角の溝10を形成する。その凹凸をドライエッチングによって石英基板1に転写する。
請求項(抜粋):
石英基板上にSi非含有ホトレジスト膜を形成してハードベークする工程と、前記Si非含有ホトレジスト膜上にSi含有ホトレジスト膜を形成する工程と、レーザ光を用いて溝及び/又はピットのパターンを露光する工程と、現像によって前記Si含有ホトレジスト膜に露光パターンを反映した凹凸形状を形成する工程と、O2ガスを用いたドライエッチングにより前記Si含有ホトレジスト膜の凹凸形状を前記Si非含有ホトレジスト膜に転写する工程と、CF4ガスを用いたドライエッチングにより前記Si非含有ホトレジスト膜の凹凸形状を石英基板上に転写する工程と、前記Si含有ホトレジスト膜及びSi非含有ホトレジスト膜を除去する工程とを含むことを特徴とする光ディスク原盤の作製方法。
IPC (3件):
G11B 7/26 501
, G11B 7/26 511
, G11B 7/26 521
FI (3件):
G11B 7/26 501
, G11B 7/26 511
, G11B 7/26 521
Fターム (11件):
5D121AA02
, 5D121BA01
, 5D121BA03
, 5D121BB02
, 5D121BB03
, 5D121BB08
, 5D121BB32
, 5D121BB33
, 5D121CA05
, 5D121DD05
, 5D121GG02
引用特許:
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