特許
J-GLOBAL ID:200903007356265793

ケイ素含有ポリマ並びにこれを用いたレジスト組成物及びレジストパターン形成方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 石田 敬 (外4名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平10-220605
公開番号(公開出願番号):特開平11-130860
出願日: 1998年08月04日
公開日(公表日): 1999年05月18日
要約:
【要約】【課題】 アルカリ性現像液で現像でき、真空紫外領域の放射線での露光により微細パターンを形成可能な新しいケイ素含有ポリマと、これを含むレジスト組成物及びそれを用いたレジストパターン形成方法を提供する。【解決手段】 本発明のケイ素含有ポリマは下記一般式で表される。【化1】(上式中、Rはケイ素含有ポリマの骨格部分を表し、R1 は一価の有機基であって、R1 のうちの少なくとも一部のものはアルカリ可溶性を示す官能基か、あるいは露光により酸発生剤から生じた酸の作用によりアルカリ可溶性を示す官能基を含む一価の有機基であり、R1 に含まれる当該官能基は1種又は複数種でよく、n及びmは1以上の整数である)
請求項(抜粋):
下記一般式で表されるケイ素含有ポリマ。【化1】(上式中、Rはケイ素含有ポリマの骨格部分を表し、R1 は一価の有機基であって、R1 のうちの少なくとも一部のものはアルカリ可溶性を示す官能基か、あるいは露光により酸発生剤から生じた酸の作用によりアルカリ可溶性を示す官能基を含む一価の有機基であり、R1 に含まれる当該官能基は1種又は複数種でよく、n及びmは1以上の整数である)
IPC (5件):
C08G 77/04 ,  C08G 77/48 ,  C08L 83/04 ,  H01L 21/027 ,  G03F 7/075 511
FI (6件):
C08G 77/04 ,  C08G 77/48 ,  C08L 83/04 ,  G03F 7/075 511 ,  H01L 21/30 502 R ,  H01L 21/30 569
引用特許:
審査官引用 (51件)
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引用文献:
審査官引用 (3件)
  • シリコーンハンドブック, 19900831, 初版, P166-P167
  • シリコーンハンドブック, 19900831, 初版, P166-P167
  • シリコーンハンドブック, 19900831, 初版, P166-P167

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