特許

J-GLOBAL ID：200903029140608339

圧電結晶膜

発明者： 木村 隆幸 ,  橋本 和生 ,  橋本 智仙
出願人/特許権者： 宇部興産株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-142052
公開番号（公開出願番号）：特開平10-330195
出願日： 1997年05月30日
公開日（公表日）： 1998年12月15日
要約：

【要約】【課題】 水熱法によるPZT系圧電結晶膜において、表面粗さを改善して電極付与を容易にするとともに、誘電損失の改善を行い、さらに優れたPZT系圧電結晶膜を提供することを課題とする。【解決手段】 基板上に水熱法により形成されたPZT系圧電結晶膜において、前記圧電結晶膜の基板面に接する結晶層が鉛、チタンおよびジルコニウムの他にストロンチウムおよび/またはバリウムを含む複合酸化物である圧電結晶膜に関する。

請求項（抜粋）：

基板上に水熱法により形成されたPZT系圧電結晶膜において、前記圧電結晶膜の基板面に接する結晶層が鉛、チタンおよびジルコニウムの他にストロンチウムおよび/またはバリウムを含む複合酸化物であることを特徴とする圧電結晶膜。

IPC (5件)：

C30B 29/32 ,  C30B 7/10 ,  G01L 1/16 ,  H01L 37/02 ,  H01L 41/187

FI (5件)：

C30B 29/32 A ,  C30B 7/10 ,  G01L 1/16 ,  H01L 37/02 ,  H01L 41/18 101 J

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 誘電体結晶膜の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-305312   出願人：宇部興産株式会社
• 積層型素子の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-102779   出願人：三菱化成株式会社
• 誘電体結晶膜の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-305315   出願人：宇部興産株式会社