特許
J-GLOBAL ID：200903029153594795

近接場光発生装置

発明者：
松本 拓也

松本 拓也 について

, 
木口 雅史

木口 雅史 について

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助田 裕史

助田 裕史 について


出願人/特許権者：
株式会社日立製作所

株式会社日立製作所 について


代理人 (1件)： 作田 康夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-308153
公開番号（公開出願番号）：特開2003-114184
出願日： 2001年10月04日
公開日（公表日）： 2003年04月18日
要約：
【要約】【課題】本発明は、高分解能、高効率な近接場光プローブを提供することを目的とする。【解決手段】基板表面に形成された幅が徐々に小さくなった平面状の散乱体11を用いて近接場光を発生させる。このとき散乱体11の面積を光スポットの面積より小さくし、さらに散乱体の材質、形状、寸法をプラズモン共鳴が発生するように設定することにより、近接場光強度を増強する。【効果】 光の光利用効率の近接場光発生装置を得ることができる。
請求項（抜粋）：
光源と、近接場光を発生させる1の頂点の方向に向かい幅が小さくなった導電性の散乱体を備え、前記散乱体の面積は、前記光源から前記散乱体に照射される光のスポット面積より、または前記散乱体に照射される光の波長の2乗より小さいようにされたことを特徴とする近接場光発生装置。
IPC (2件)：
G01N 13/14 ,  G02B 21/00
FI (2件)：
G01N 13/14 B ,  G02B 21/00
Fターム (1件)：
2H052AF19
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (4件)
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