特許
J-GLOBAL ID：200903029156079379
応力緩和層形成装置及びこれを有する半導体製造装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
上柳 雅誉
, 藤綱 英吉
, 須澤 修
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-184973
公開番号（公開出願番号）：特開2004-266301
出願日： 2004年06月23日
公開日（公表日）： 2004年09月24日
要約：
【課題】 複雑な工程を必要とせず、低コストで、且つ気泡等を生ぜずに安定的な強度の応力緩和層を形成することができる応力緩和層形成装置及びこれを有する半導体製造装置を提供すること。【解決手段】 半導体チップ200の応力緩和層250形成領域に対して圧電素子126eを用いて樹脂を吐出させる樹脂吐出用ヘッド126と、この樹脂吐出用ヘッドの動作を制御するヘッド制御部125と、を有することで応力緩和層形成装置100を構成する。【選択図】 図2
請求項（抜粋）：
半導体チップに形成されてなる突起電極部の水平方向における最大外径を有する位置よりも外部電極側の根元付近に対して囲うように設けられる応力緩和層を形成する応力緩和層形成装置であって、
前記応力緩和層の形成領域に対して樹脂を吐出させる樹脂吐出用ヘッドと、
前記樹脂吐出用ヘッドの動作を制御するヘッド制御部と、
を有することを特徴とする応力緩和層形成装置。
IPC (1件)：
FI (1件)：
引用特許：
前のページに戻る
