特許
J-GLOBAL ID：200903029299286707
貫通孔形成方法および液体吐出ヘッド
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
谷 義一
, 阿部 和夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-258180
公開番号（公開出願番号）：特開2004-090573
出願日： 2002年09月03日
公開日（公表日）： 2004年03月25日
要約：
【課題】半導体基板に貫通孔を形成する場合、エッチングストップ層にクラックが発生し、このクラックに滲み込んだエッチング液が半導体基板表面側へ回り込み、貫通孔を形成した半導体基板の製造歩留まりが低下する。【解決手段】半導体基板11に貫通孔17を形成する貫通孔形成方法であって、半導体基板11の表面にエッチングストップ層13を形成するステップと、このエッチングストップ層13の上に保護層14を形成するステップと、半導体基板11の裏面に開口部15を持ったエッチングマスク層16を形成するステップと、このエッチングマスク層16の開口部15からエッチングストップ層13に至る半導体基板11をエッチングするステップと、エッチングされた空隙部分に臨むエッチングストップ層13の部分を除去して貫通孔17を形成するステップとを具える。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
半導体基板に貫通孔を形成する貫通孔形成方法であって、
前記半導体基板の表面にエッチングストップ層を形成するステップと、
このエッチングストップ層の上に保護層を形成するステップと、
前記半導体基板の裏面に開口部を持ったエッチングマスク層を形成するステップと、
このエッチングマスク層の前記開口部から前記エッチングストップ層に至る前記半導体基板をエッチングするステップと、
エッチングされた空隙部分に臨む前記エッチングストップ層の部分を除去して貫通孔を形成するステップと
を具えたことを特徴とする貫通孔形成方法。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (9件)：
2C057AF93
, 2C057AG12
, 2C057AG33
, 2C057AG46
, 2C057AP02
, 2C057AP34
, 2C057AP35
, 2C057AP57
, 2C057AQ02
