特許

J-GLOBAL ID：200903029330153435

カソーディックアーク成膜装置

発明者： 秋田 典孝
出願人/特許権者： 株式会社島津製作所
代理人 (1件)： 永井 冬紀
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-361209
公開番号（公開出願番号）：特開2003-160858
出願日： 2001年11月27日
公開日（公表日）： 2003年06月06日
要約：

【要約】【課題】 成膜レートの低下を防止しつつ基板に入射するパーティクルを低減することができるカソーディックアーク成膜装置の提供。【解決手段】 プラズマ発生部1で生成されたプラズマビームBは、ダクト20内を移送される際に、ダクト20に印加されたバイアス電圧により高密度プラズマ状態とされる。ダクト20から出射されたプラズマビームBのカーボンイオンCはスキャニング装置3により偏向され、遮蔽板44の開口44aを通過して基板41に入射する。一方、電気的に中性なパーティクルPは直進して遮蔽板44にトラップされる。その結果、パーティクルPの含有率の低いカーボン膜が基板41上に形成される。

請求項（抜粋）：

陰極アーク放電によりターゲットイオンを含むプラズマビームを生成するプラズマビーム生成装置と、前記プラズマビームの進行経路中に配設されて前記プラズマビームを捕捉するトラップと、前記トラップに入射するプラズマビームに含まれる前記ターゲットイオンを、前記プラズマビームの経路外へ偏向分離して基板に入射させる偏向装置とを備え、前記基板上に薄膜を成膜することを特徴とするカソーディックアーク成膜装置。

IPC (3件)：

C23C 14/24 ,  C23C 14/32 ,  G11B 5/85

FI (3件)：

C23C 14/24 F ,  C23C 14/32 G ,  G11B 5/85 Z

Fターム (11件)：

4K029BA34 ,  4K029BD04 ,  4K029BD11 ,  4K029CA03 ,  4K029DB05 ,  4K029DD06 ,  4K029DE05 ,  5D112AA07 ,  5D112BC05 ,  5D112FB10 ,  5D112FB18

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 薄膜形成装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-326122   出願人：日新電機株式会社

審査官引用 (1件)

• 薄膜形成装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-326122   出願人：日新電機株式会社