特許

J-GLOBAL ID：200903029330379328

不揮発性双安定メモリ素子

発明者： 越田 信義
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 金田 暢之 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-157834
公開番号（公開出願番号）：特開2000-349329
出願日： 1999年06月04日
公開日（公表日）： 2000年12月15日
要約：

【要約】【課題】 本発明は、新規な半導体メモリ素子、およびさらに光電子機能等の付加的機能を備えた半導体メモリ素子を提供することを目的とする。【解決手段】 半導体基板1の表面に形成された無数のナノクリスタルからなる半導体多孔質微結晶層2と、その上に形成された金属電極4とを有するダイオード構成の不揮発性双安定メモリ素子。

請求項（抜粋）：

半導体基板の表面に形成された無数のナノクリスタルからなる半導体多孔質微結晶層と、その上に形成された金属電極とを有するダイオード構成の不揮発性双安定メモリ素子。

IPC (4件)：

H01L 31/12 ,  H01L 27/146 ,  H01L 31/10 ,  H01L 33/00

FI (4件)：

H01L 31/12 J ,  H01L 33/00 A ,  H01L 27/14 A ,  H01L 31/10 A

Fターム (21件)：

4M118AA10 ,  4M118AB10 ,  4M118BA30 ,  4M118CA02 ,  4M118CB05 ,  4M118CB14 ,  4M118EA01 ,  5F041CA06 ,  5F041CA24 ,  5F041CA67 ,  5F041CA81 ,  5F041FF16 ,  5F049MA20 ,  5F049MB04 ,  5F049NB10 ,  5F049PA20 ,  5F049SE05 ,  5F089AA02 ,  5F089AB15 ,  5F089AC05 ,  5F089AC07