低温中性子イメージ検出器

発明者： , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (6件)：小野新次郎 , 社本一夫 , 小林泰 , 千葉昭男 , 富田博行 , 松山美奈子
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-007510
公開番号（公開出願番号）：特開2009-115818
出願日： 2009年01月16日
公開日（公表日）： 2009年05月28日
要約：

【解決課題】500ミクロン以下の位置分解能と中性子感度の位置一様性に極めて優れた中性子イメージ検出器を提供する。【解決手段】低温に冷却可能な耐圧力性チャンバー内部に液体ヘリウム3を封入し、ヘリウム3が中性子を捕獲した際に放出されるプロトンあるいはトリトンを前記耐圧力性チャンバー内部に配置した低温粒子線検出素子で検出して中性子を検出する液体ヘリウム3検出器を構成し、その動作温度Tを3.19K以下で動作させ、前記低温粒子線検出素子としてInSb半導体検出素子を使用する場合にはその空乏層幅を5.8ミクロン以下とし、前記低温粒子検出素子としてSi半導体検出素子を使用する場合にはその空乏層幅を7.3ミクロン以下とすることにより、高い中性子検出位置分解能を持つ中性子イメージ検出器を実現する。【選択図】図3

請求項（抜粋）：

低温に冷却可能な耐圧力性チャンバー内部に液体ヘリウム3を封入し、ヘリウム3が中性子を捕獲した際に放出されるプロトンあるいはトリトンを前記耐圧力性チャンバー内部に配置した低温粒子線検出素子で検出して中性子を検出する液体ヘリウム3検出器を構成し、その動作温度Tを3.19K以下で動作させ、前記低温粒子線検出素子としてInSb半導体検出素子を使用し、かつその空乏層幅を5.8ミクロン以下とすることを特徴とする低温中性子イメージ検出器。

IPC (1件)：

G01T 3/08

FI (1件)：

G01T3/08

Fターム (8件)：

2G088EE29 , 2G088FF09 , 2G088FF18 , 2G088GG05 , 2G088GG21 , 2G088JJ05 , 2G088JJ37 , 2G088KK35

引用特許：

審査官引用 (2件)

高速・高位置分解能型中性子検出用ガスカウンタ計測システム
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-253967 出願人：日本原子力研究所
特公昭38-013199

引用文献：

審査官引用 (4件)

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