特許

J-GLOBAL ID：200903029334270304

多孔質金属酸化物半導体薄膜の製造方法

発明者： 白鳥 世明 ,  今井 宏明 ,  竹中 忍
出願人/特許権者： 学校法人慶應義塾
代理人 (1件)： 西 義之
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-111305
公開番号（公開出願番号）：特開2003-301283
出願日： 2002年04月12日
公開日（公表日）： 2003年10月24日
要約：

【要約】【課題】 細孔径サイズがナノスケールで、微細構造が制御された比表面積の大きい多孔質金属酸化物半導体薄膜を基体上に大面積でも均一に所望の膜厚に作製できる方法の開発。【構成】 基体上に複合有機物からなる多孔質ナノ細孔径構造の交互吸着膜を形成し、純水処理によりマクロ孔を有する多孔質構造に再組織化した後、該多孔質構造の交互吸着膜上および基体表面まで貫通しているその孔構造内に化学溶液析出法により金属酸化物粒子を形成し、次いで、交互吸着膜を焼失させることにより基体上にナノ細孔径構造の交互吸着膜のレプリカ状の多孔質金属酸化物半導体薄膜を形成する。

請求項（抜粋）：

基体上に複合有機物からなる多孔質ナノ細孔径構造の交互吸着膜を形成し、純水処理によりマクロ孔を有する多孔質構造に再組織化した後、該多孔質構造の交互吸着膜上および基体表面まで貫通しているその孔構造内に化学溶液析出法により金属酸化物粒子を形成し、次いで、交互吸着膜を焼失させることにより基体上にナノ細孔径構造の交互吸着膜のレプリカ状の多孔質金属酸化物半導体薄膜を形成することを特徴とする多孔質金属酸化物半導体薄膜の製造方法。

IPC (4件)：

C23C 28/00 ,  G01N 27/12 ,  H01L 31/04 ,  H01M 14/00

FI (4件)：

C23C 28/00 Z ,  G01N 27/12 M ,  H01M 14/00 P ,  H01L 31/04 Z

Fターム (39件)：

2G046AA01 ,  2G046BA01 ,  2G046BA09 ,  2G046BB02 ,  2G046BC05 ,  2G046DC14 ,  2G046EA02 ,  2G046EA04 ,  2G046EA09 ,  2G046FE15 ,  2G046FE31 ,  2G046FE35 ,  2G046FE38 ,  2G046FE39 ,  2G046FE44 ,  2G046FE45 ,  4K044AA12 ,  4K044BA12 ,  4K044BA21 ,  4K044BB02 ,  4K044BB13 ,  4K044BC14 ,  4K044CA53 ,  4K044CA62 ,  5F051AA07 ,  5F051AA14 ,  5F051BA12 ,  5F051BA13 ,  5F051CB11 ,  5F051FA03 ,  5F051FA06 ,  5F051GA03 ,  5H032AA06 ,  5H032AS06 ,  5H032AS16 ,  5H032BB02 ,  5H032BB05 ,  5H032EE02 ,  5H032EE16