特許

J-GLOBAL ID：200903029384292147

薄膜トランジスタ

発明者： 室田 淳一 ,  小野 昭一 ,  御子柴 宣夫 ,  加藤 学 ,  岩崎 千里 ,  笠間 泰彦
出願人/特許権者： アルプス電気株式会社
代理人 (1件)： 志賀 正武 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-023611
公開番号（公開出願番号）：特開平5-021798
出願日： 1991年02月18日
公開日（公表日）： 1993年01月29日
要約：

【要約】【構成】 絶縁体上1に、ゲート電極3と、チャンネル部を有する半導体層10と、ソース電極6、ドレイン電極7とを備えた薄膜トランジスタにおいて、前記のチャンネル部を有する半導体層10を、ゲルマニウムを含むシリコン混晶層11と、その上に積層されたシリコン層12とで形成した。ゲルマニウムを含むシリコン混晶層11は600°C以下の温度で優れた結晶性を示すので、この上のシリコン層は、600°C以下の温度でも混晶層11を核としてエピタキシャル成長し、多結晶体になる。【効果】 低融点ガラス基板の耐熱温度範囲である600°C以下の温度で形成しても、動作速度が速い薄膜トランジスタを実現できる。

請求項（抜粋）：

絶縁体上にゲート電極と、このゲート電極上に形成されたチャンネル部を有する半導体層と、この半導体層上に形成されたソース電極およびドレイン電極とを備えた薄膜トランジスタにおいて、前記チャンネル部を有する半導体層が、ゲルマニウムを含むシリコン混晶からなる層と、その上に積層されたシリコンからなる層とから形成されたものであることを特徴とする薄膜トランジスタ。

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開昭60-098680
  
• 特開昭61-232675
  
• 特開昭54-099576
  
• 特開平3-011618