特許

J-GLOBAL ID：200903029386270515

傾斜ディセル装置とそのイオンビームの形成方法

発明者： 黄 永章
出願人/特許権者： 住友イートンノバ株式会社
代理人 (1件)： 萼 経夫 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-139580
公開番号（公開出願番号）：特開平11-329316
出願日： 1998年05月21日
公開日（公表日）： 1999年11月30日
要約：

【要約】【課題】 イオンビームの減速及び中性粒子の分離を同時に達成するための傾斜ディセル装置とそのイオンビームの形成方法を提供すること。【解決手段】 開口を有する複数のディセル電極17,18,19,20 を傾斜させて配置し、質量分析器2から放出されるイオンビームを、ビーム径路の基軸10に対して所定の偏向角とオフセット距離Dでディセル電極の開口に入射させ、ディセル電極の間に形成される間隙によって、イオンビームを減速または加速しかつ同時にイオンビームを中性粒子から分離させる。複数のディセル電極は、第1,第2,第3の間隙を形成する前側電極17、抑制電極18,19 及び後側電極20で構成され、オフセット修正されたイオンビームが基軸10に沿う方向に移動する。中性粒子は、ディセル電極20の開口を通過できないか、ウエハ7に到達する前に捕捉され、イオンのみがウエハに衝突することにより、ウエハへのエネルギー汚染をなくす。

請求項（抜粋）：

開口を有する複数のディセル電極をビーム径路の基軸に垂直な軸に対して傾斜させて配置し、前記ディセル電極にイオンビームが入射する位置での、前記基軸からのイオンビームのオフセット距離と、前記入射するイオンビームの前記基軸に対する偏向角を決定し、前記ディセル電極の間に形成される間隙によって、イオンビームを減速かつ同時に中性粒子をイオンビームから分離して、高電流で十分に純粋な超低エネルギーを有するイオンビームを形成することを特徴とする傾斜ディセル装置。

IPC (5件)：

H01J 37/04 ,  C23C 14/48 ,  H01J 37/08 ,  H01J 37/317 ,  H01L 21/265

FI (5件)：

H01J 37/04 Z ,  C23C 14/48 Z ,  H01J 37/08 ,  H01J 37/317 Z ,  H01L 21/265 603 B

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開平4-284343
  
• イオン注入装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-335438   出願人：日本真空技術株式会社