多孔質材料上のSiC:H蒸着によって改良された金属バリア挙動

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (6件)：曾我道照 , 曾我道治 , 古川秀利 , 鈴木憲七 , 梶並順 , 醍醐美知子
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-511305
公開番号（公開出願番号）：特表2004-535065
出願日： 2002年06月25日
公開日（公表日）： 2004年11月18日
要約：

封止誘電体層が多孔質誘電体層と金属拡散バリア層との間に形成される。封止誘電体層は、多孔質誘電体層の表面及び側壁において孔を閉塞する。本発明によれば、金属拡散バリア層においてピンホールを形成することなしに、薄い金属拡散バリア層を使用することができる。封止誘電体層は、組成SixCy:Hzを有するCVD蒸着薄膜である。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

(i)ソッリドステートデバイスの副集成部品と、 (ii)導電性金属から形成され且つ副集成部品内でデバイスを接続する金属配線と、 (iii)導電性金属を覆って形成され且つ孔を含有する多孔質誘電体層と、 (iv)多孔質誘電体層内に形成された相互接続開口部と、 (v)相互接続開口部内で多孔質誘電体の孔を被覆する封止誘電体層と、 (vi)相互接続開口部内の金属拡散バリアとを有し、前記封止誘電体層が、 (1)SixCy:Hz(ここでxは10〜50の値を有し、yは1〜66の値を有し、zは0.1〜66の値を有し、x+y+z≧90原子%である); (2)SiaObCc:Hd(ここでaは10〜33の値を有し、bは1〜40の値を有し、cは1〜66の値を有し、dは0.1〜60の値を有し、a+b+c+d≧90原子%であり、C/Si<0.5及びH/C>0.5である);又は (3)SieNfCg:Hh(ここでeは10〜33の値を有し、fは1〜50の値を有し、gは1〜66の値を有し、hは0.1〜60の値を有し、e+f+g+h≧90原子%であり、C/Si<0.5、H/C>0.5である) から選択される集積回路。

IPC (2件)：

H01L21/768 , H01L21/312

FI (2件)：

H01L21/90 J , H01L21/312 C

Fターム (60件)：

5F033HH08 , 5F033HH11 , 5F033HH18 , 5F033HH19 , 5F033HH21 , 5F033HH32 , 5F033HH33 , 5F033HH34 , 5F033JJ01 , 5F033JJ08 , 5F033JJ11 , 5F033JJ18 , 5F033JJ19 , 5F033JJ21 , 5F033JJ32 , 5F033JJ33 , 5F033JJ34 , 5F033KK08 , 5F033KK11 , 5F033KK13 , 5F033KK14 , 5F033KK40 , 5F033MM01 , 5F033MM02 , 5F033MM12 , 5F033MM13 , 5F033NN06 , 5F033NN07 , 5F033PP06 , 5F033PP15 , 5F033PP26 , 5F033QQ25 , 5F033RR01 , 5F033RR06 , 5F033RR21 , 5F033RR29 , 5F033SS03 , 5F033SS08 , 5F033SS10 , 5F033SS11 , 5F033SS13 , 5F033SS14 , 5F033SS15 , 5F033TT07 , 5F033WW00 , 5F033WW04 , 5F033XX00 , 5F058AA05 , 5F058AA10 , 5F058AD05 , 5F058BF03 , 5F058BF04 , 5F058BF05 , 5F058BF07 , 5F058BF09 , 5F058BF12 , 5F058BF17 , 5F058BF27 , 5F058BF29 , 5F058BJ05

引用特許：

審査官引用 (1件)

集積回路における誘電材料層を介した銅接続の形成方法
公報種別：公表公報出願番号：特願2001-524145 出願人：コミツサリアタレネルジーアトミーク, ストミクロエレクトロニクス・ソシエテ・アノニム

前のページに戻る