集積回路における誘電材料層を介した銅接続の形成方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：志賀正武 (外7名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-524145
公開番号（公開出願番号）：特表2003-509862
出願日： 2000年09月12日
公開日（公表日）： 2003年03月11日
要約：

【要約】本発明は、ダマシン構造を備えた集積回路において銅接続要素(2,12)と銅接続を形成する方法であって、その接続要素は密閉層(3;13)と非常に低誘電率を有する誘電材料(“低k”材料と称する)の少なくとも一層(4;14,24)とによって被覆されたものであるという方法において、接続要素の反対側に接続ホール(6;16,26)を得るために密閉層(3;13)に達するまで、前記誘電材料層(4;14,24)をエッチングする段階と、銅の拡散による誘電材料層のコンタミネーションを回避することを可能にする保護層を接続ホールの壁に形成する段階と、接続要素(2,12)を露出するように、接続ホールの底部の密閉層をエッチングする段階と、接続ホール(6;16,26)を銅で充填する段階と、を備えている。

請求項（抜粋）：

ダマシン構造を備えた集積回路において銅接続要素(2,12)と銅接続を形成する方法であって、その接続要素は密閉層(3;13)と非常に低い誘電率を有する誘電材料(“低k”材料と称する)の少なくとも一層(4;14,24)とによって被覆されたものであるという方法において: -接続要素に対向した接続ホール(6;16,26)を得るために密閉層(3;13)に達するまで、前記誘電材料層(4;14,24)をエッチングする段階と、 -銅の拡散による誘電材料層のコンタミネーションを回避するための保護層を、接続ホールの壁に形成する段階と、 -接続要素(2,12)を露出するように、接続ホールの底部の密閉層をエッチングする段階と、 -接続ホール(6;16,26)を銅で充填する段階と、を備えた方法。

IPC (2件)：

H01L 21/768 , H01L 21/3205

FI (3件)：

H01L 21/90 A , H01L 21/88 K , H01L 21/90 J

Fターム (17件)：

5F033HH33 , 5F033JJ33 , 5F033KK11 , 5F033MM10 , 5F033NN05 , 5F033QQ16 , 5F033QQ28 , 5F033QQ37 , 5F033RR01 , 5F033RR04 , 5F033RR06 , 5F033RR21 , 5F033RR29 , 5F033TT01 , 5F033TT04 , 5F033TT06 , 5F033TT07

引用特許：

審査官引用 (9件)

多層配線構造及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-341259 出願人：日本電気株式会社, ルーセントテクノロジーズインク
デュアル・インレイド構造を有する半導体素子の形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-254627 出願人：モトローラ・インコーポレイテッド
多重レベル相互接続構造を持つ集積回路における二重ダマスク構造製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-374061 出願人：ユナイテッドマイクロエレクトロニクスコープ

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