プラズマ処理装置

発明者： , , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：特許業務法人第一国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-284368
公開番号（公開出願番号）：特開2005-089864
出願日： 2004年09月29日
公開日（公表日）： 2005年04月07日
要約：

【課題】高効率でエッチング処理中の半導体ウェハの温度を制御できる静電吸着電極を有するプラズマ処理装置を提供する。【解決手段】表面に誘電体膜4を備え、内部に冷媒の流路6が形成された電極ブロックSを具備し、該電極ブロック表面の誘電体膜を介して半導体ウエハWを保持して温度制御する方式の保持ステージを備えるとともに、圧縮機52と凝縮器55と膨張弁53とヒータを内蔵した熱交換器54と蒸発器からなる冷凍サイクル50を備え、電極ブロックSを冷凍サイクルの蒸発器として用い、電極ブロック内に冷媒を直接循環させて膨張させる直接膨張方式の温度制御装置で前記電極ブロックSの温度制御を行うプラズマ処理装置。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

表面に誘電体膜を備え、内部に冷媒の流路が形成された電極ブロックを具備し、該電極ブロック表面の誘電体膜を介して半導体ウエハを保持して温度制御する方式の保持ステージを備えるとともに、圧縮機と凝縮器と膨張弁と蒸発器からなる冷凍サイクルを備えたプラズマ処理装置において、前記電極ブロックの温度制御は、電極ブロックを冷凍サイクルの蒸発器として用い、電極ブロック内に冷媒を直接循環させて膨張させる直接膨張方式の温度制御装置で行うことを特徴とするプラズマ処理装置。

IPC (3件)：

C23C16/46 , H01L21/3065 , H01L21/68

FI (3件)：

C23C16/46 , H01L21/68 R , H01L21/302 101G

Fターム (21件)：

4K030FA01 , 4K030GA02 , 4K030KA14 , 4K030KA22 , 4K030KA23 , 5F004BA14 , 5F004BB22 , 5F004BC02 , 5F004BC03 , 5F004CA02 , 5F004CA04 , 5F004DB01 , 5F031CA02 , 5F031HA16 , 5F031HA37 , 5F031HA38 , 5F031JA01 , 5F031JA46 , 5F031MA32 , 5F031NA05 , 5F031PA11

引用特許：

出願人引用 (4件)

ウエハ処理装置およびウエハ製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-073915 出願人：株式会社日立製作所
真空処理装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-374045 出願人：東京エレクトロン株式会社
特開平2-055205

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審査官引用 (4件)

ウエハ処理装置およびウエハ製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-073915 出願人：株式会社日立製作所
特開平2-055205
特開昭64-023061

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