特許

J-GLOBAL ID：200903029417113162

センスアンプ回路

発明者： 鄭 泰聖 ,  朴 ▲じょんふん▼
出願人/特許権者： 三星電子株式会社
代理人 (1件)： 高月 猛
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-123446
公開番号（公開出願番号）：特開平8-321194
出願日： 1996年05月17日
公開日（公表日）： 1996年12月03日
要約：

【要約】【課題】 1つのセンスアンプでマルチレベルデータを順次感知することを可能にし、集積性を向上させページ構造のメモリデバイスに適するものとする。【解決手段】 出力端子N10,N20の第1電源Vcc側に接続されて出力端子N10,N20に制御電極がクロス接続される第1のトランジスタ対Q7,Q8と、出力端子N10,N20の第2電源GND側に接続されて記出力端子N10,N20に制御電極がクロス接続される第2のトランジスタ対Q5,Q6と、出力端子N10,N20の第2電源側に接続されて入力信号REF,DATAを制御電極に受ける第3のトランジスタ対Q1,Q4と、この第3のトランジスタ対とは異なる極性をもち、出力端子N10,N20の第2電源側に接続されて入力信号REF,DATAを制御電極に受ける第4のトランジスタ対Q2,Q3と、を備えるセンスアンプ回路とする。

請求項（抜粋）：

入力信号に応答して出力端子の電圧を変化させる第1導電手段と、この第1導電手段とは異なる極性をもち、前記入力信号に応答して他の出力端子の電圧を変化させる第2導電手段と、これら第1導電手段及び第2導電手段による電圧変化で相対的に電圧が高くなった出力端子の充電を行う充電手段と、前記第1導電手段及び第2導電手段による電圧変化で相対的に電圧が低くなった出力端子の放電を行う放電手段と、を備えてなることを特徴とするセンスアンプ回路。

IPC (2件)：

G11C 16/06 ,  G11C 16/04

FI (2件)：

G11C 17/00 520 B ,  G11C 17/00 308

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開昭63-086199
  
• 特開昭57-113483
  
• センスアンプ回路
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-003552   出願人：宮崎沖電気株式会社, 沖電気工業株式会社