特許
J-GLOBAL ID：200903029426031144

窒化物半導体素子

発明者：
佐野 雅彦

佐野 雅彦 について

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野中 満宏

野中 満宏 について

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鎌田 和美

鎌田 和美 について

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山本 正司

山本 正司 について


出願人/特許権者：
日亜化学工業株式会社

日亜化学工業株式会社 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-229414
公開番号（公開出願番号）：特開2008-294482
出願日： 2008年09月08日
公開日（公表日）： 2008年12月04日
要約：
【課題】 両電極が向かい合う対向電極構造を実現させ、かつ電圧を上げることなく高出力の窒化物半導体素子、及びその製造方法を提供する。【解決手段】 異種基板上に窒化物半導体層を成長させる工程と、その後、窒化物半導体層に支持基板を貼り合わせる工程と、その後、異種基板を除去する工程とを備える。前記貼り合わせ工程は合金共晶によって導電層を形成する。前記異種基板の除去工程はレーザー照射、研磨、ケミカルポリッシュによって行われる。前記異種基板の除去工程後、窒化物半導体層の露出表面をエッチングによりチップ状に窒化物半導体層を分離する工程を備える。前記異種基板の除去工程後、窒化物半導体層の露出表面に凹凸形成する工程を備える。【選択図】 図3A
請求項（抜粋）：
支持基板上に少なくとも導電層、第1の電極、発光層を有する窒化物半導体、第2の電極とを順に備えた窒化物半導体素子であって、 前記導電層上には第1の電極、及び第1絶縁性の保護膜を介して第1導電型の窒化物半導体層を有することを特徴とする窒化物半導体素子。
IPC (1件)：
H01L 33/00
FI (2件)：
H01L33/00 C ,  H01L33/00 N
Fターム (27件)：
5F041AA04 ,  5F041AA11 ,  5F041CA05 ,  5F041CA12 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041CA49 ,  5F041CA57 ,  5F041CA65 ,  5F041CA66 ,  5F041CA73 ,  5F041CA74 ,  5F041CA76 ,  5F041CA77 ,  5F041CA83 ,  5F041CA92 ,  5F041CB15 ,  5F041DA07 ,  5F041DA09 ,  5F041DA12 ,  5F041DA13 ,  5F041DA20 ,  5F041DA74 ,  5F041DA76 ,  5F041DA77 ,  5F041DB09 ,  5F041EE25
引用特許：
出願人引用 (3件) 審査官引用 (2件)

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