特許
J-GLOBAL ID：200903029432649257
半導体表面のライフタイム評価方法
発明者：
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
石原 詔二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-279321
公開番号（公開出願番号）：特開平8-139146
出願日： 1994年11月14日
公開日（公表日）： 1996年05月31日
要約：
【要約】【目的】 エピタキシャル構造のウェーハについて、半導体薄層及び/又はその近傍のライフタイムの評価を可能とし、非接触、非破壊で品質評価を行うことのできる半導体表面のライフタイム評価方法を提供する。【構成】 半導体基板の主表面上に半導体薄層を有する半導体ウェーハにおける当該半導体薄層及び/又はその近傍のライフタイムを評価する方法であり、被検半導体のバンドギャップよりエネルギーの大きい励起光を用いて上記半導体薄層表面近傍に電子正孔対を発生させ、当該電子正孔対の再結合により発光する光の特定波長の強度を検出し、その強度から上記半導体薄層及び/又はその近傍のライフタイム評価する。
請求項（抜粋）：
半導体基板の主表面上に半導体薄層を有する半導体ウェーハにおける当該半導体薄層及び/又はその近傍のライフタイムを評価する方法であり、被検半導体のバンドギャップよりエネルギーの大きい励起光を用いて上記半導体薄層表面近傍に電子正孔対を発生させ、当該電子正孔対の再結合により発光する光の特定波長の強度を検出し、その強度から上記半導体薄層及び/又はその近傍のライフタイム評価することを特徴とする半導体表面のライフタイム評価方法。
IPC (3件)：
H01L 21/66
, G01N 21/63
, G01N 21/66
