特許

J-GLOBAL ID：200903029440109474

GaN系結晶成長用基板およびその用途

発明者： 平松 和政 ,  只友 一行 ,  宮下 啓二 ,  岡川 広明 ,  大内 洋一郎
出願人/特許権者： 三菱電線工業株式会社
代理人 (1件)： 高島 一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-195890
公開番号（公開出願番号）：特開平11-043398
出願日： 1997年07月22日
公開日（公表日）： 1999年02月16日
要約：

【要約】【課題】 厚膜で、しかも転位などの欠陥を内包しない高品質なGaN系結晶基板を効率良く得ることができるGaN系結晶成長用基板と、それを用いたGaN系結晶基板の製造方法を提供すること。【解決手段】 ベース基板1の面上に部分的にマスク層2を設け、マスク領域12と非マスク領域11とを形成する。マスク領域と非マスク領域とは、周期的に交互に繰り返すパターンとし、成長するGaN系結晶の〈11-20〉方向への繰り返しを少なくとも含むものとする。この〈11-20〉方向への繰り返しにおけるマスク領域の幅をBとし非マスク領域の幅をAとし、1μm≦B≦20mm、1μm<A+B≦25mm、特にA≦Bとすることで、無駄のないベース基板の利用が可能となり、GaN系結晶はより速くマスク層の上を覆う。

請求項（抜粋）：

GaN系結晶が成長可能なベース基板面の一部または全部の領域に、マスク領域と非マスク領域とを形成するようにマスク層が設けられ、マスク層はそれ自身の表面からは実質的にGaN系結晶が成長し得ない材料からなり、マスク領域と非マスク領域とは、周期的に交互に繰り返すパターンとなっており、この周期的な繰り返しは、前記ベース基板上に成長するGaN系結晶の〈11-20〉方向への繰り返しを少なくとも含むものであり、〈11-20〉方向への繰り返しにおけるマスク領域の幅をBとし非マスク領域の幅をAとするとき、1μm≦B≦20mm、1μm<A+B≦25mm、であることを特徴とするGaN系結晶成長用基板。

IPC (5件)：

C30B 29/38 ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/205 ,  H01L 33/00 ,  H01S 3/18

FI (5件)：

C30B 29/38 D ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/205 ,  H01L 33/00 C ,  H01S 3/18

引用特許：

審査官引用 (1件)

• III-V族化合物半導体膜とその成長方法、GaN系半導体膜とその形成方法、GaN系半導体積層構造とその形成方法、GaN系半導体素子とその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-062760   出願人：日本電気株式会社