特許
J-GLOBAL ID:200903029467958074

冷陰極アレイ基板及びその製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 鈴江 武彦 (外6名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平10-065106
公開番号(公開出願番号):特開平11-260246
出願日: 1998年03月16日
公開日(公表日): 1999年09月24日
要約:
【要約】【課題】大面積の基板内に複数の冷陰極アレイを高密度に同時形成し、容易に良品選別することができる耐圧と電流密度の高い冷陰極アレイ基板を提供する。【解決手段】溝加工した導体基板の溝部を避けて、半導体モールド基板を用いて形成した冷陰極アレイ層を、半導体モールド基板と共に前記導体基板に接着する。溝部をダイシングして導体基板を分離した後、絶縁材を充填し、モールド基板を除去する。アレイごとに導体基板の下面から素子の電流を取り出すコンタクトを設けることにより、アレイを個別に検査し、容易に良品を選別し、動作させることができる。必要に応じて良品アレイを個別に分割し、アレイ間を絶縁材で充填後、薄膜技術を用いて各アレイのゲート電極を一括接続することにより、高耐圧でかつ大電流で動作するパワー用冷陰極アレイ基板モジユールを、高い歩留まりで製造することができる。
請求項(抜粋):
下面を横切る少なくとも1つの凹状の溝を備えた導体基板と、前記凹状の溝の法線位置を避けるように前記導体基板の上面に配置された微小凸状冷陰極アレイと、絶縁膜を介して設けられた前記微小凸状冷陰極アレイからの電子の放出を制御するゲート電極と、を具備することを特徴とする冷陰極アレイ基板。
IPC (2件):
H01J 1/30 ,  H01J 9/02
FI (2件):
H01J 1/30 F ,  H01J 9/02 B
引用特許:
審査官引用 (2件)

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