特許

J-GLOBAL ID：200903029469322185

電界効果トランジスタのT型ゲートの保護膜形成方法

発明者： 大島 知之
出願人/特許権者： 沖電気工業株式会社
代理人 (1件)： 清水 守 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-308056
公開番号（公開出願番号）：特開平10-150054
出願日： 1996年11月19日
公開日（公表日）： 1998年06月02日
要約：

【要約】【課題】 T型ゲート上部と電界効果トランジスタのチャネル間の寄生容量によるトランジスタの高周波特性の劣化を防止することができる電界効果トランジスタにおけるT型ゲートの保護膜形成方法を提供する。【解決手段】 電界効果トランジスタのT型ゲートの保護膜形成方法において、T型ゲート5を形成後、スパッタリング法のような異方性の高い膜形成法により、前記T型ゲート5の保護膜6を形成し、このT型ゲート5と活性層表面の空間をボイド7とする。

請求項（抜粋）：

電界効果トランジスタのT型ゲートの保護膜形成方法において、T型ゲートを形成後、異方性の高い膜形成法により、前記T型ゲートの保護膜を形成し、該T型ゲートと活性層表面の空間をボイドとすることを特徴とする電界効果トランジスタのT型ゲートの保護膜形成方法。

IPC (4件)：

H01L 21/338 ,  H01L 29/812 ,  H01L 29/41 ,  H01L 29/78

FI (3件)：

H01L 29/80 F ,  H01L 29/44 Z ,  H01L 29/78 301 G

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平3-058432
  
• 特開昭61-190985
  
• ゲート保護膜およびその形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-328753   出願人：沖電気工業株式会社