特許

J-GLOBAL ID：200903029486847992

固体撮像素子及び撮像装置

発明者： 渡邉 幹緒
出願人/特許権者： 富士写真フイルム株式会社
代理人 (5件)： 小栗 昌平 ,  本多 弘徳 ,  市川 利光 ,  高松 猛 ,  濱田 百合子
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-170820
公開番号（公開出願番号）：特開2005-353716
出願日： 2004年06月09日
公開日（公表日）： 2005年12月22日
要約：

【課題】 色再現性の良いカラー画像の撮像を可能とする固体撮像素子を提供する。【解決手段】 固体撮像素子10は、P型半導体基板5の表面からその内部に向かって、P型半導体層1、N型半導体層2、P型半導体層3、N型半導体層4がこの順に重層された構造となっている。P型半導体層1とN型半導体層2との間のPN接合は青色の光を吸収するフォトダイオード6を形成し、N型半導体層2とP型半導体層3との間のPN接合はエメラルド色の光を吸収するフォトダイオード7を形成し、P型半導体層3とN型半導体層4との間のPN接合は緑色の光を吸収するフォトダイオード8を形成し、N型半導体層4とP型半導体基板5とのPN接合は赤色の光を吸収するフォトダイオード9を形成する。フォトダイオード6〜9に光が吸収された際に生じる電位差を読み出し回路によって読み出すことで、青色、赤色、緑色、エメラルド色の色信号を読み出し、赤色の色信号量からエメラルド色の色信号量を減算することで、人間の赤色に対する感度の再現域を広げる。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

半導体基板内の深さ方向に、画素毎に複数のフォトダイオードが重層され、前記複数のフォトダイオードに吸収される光によって各フォトダイオードに生じる電位差に応じた色信号を外部に読み出す固体撮像素子であって、 前記複数のフォトダイオードは、青色の光を吸収する深さに設けられる第1のフォトダイオードと、緑色の光を吸収する深さに設けられる第2のフォトダイオードと、赤色の光を吸収する深さに設けられる第3のフォトダイオードと、前記赤色の光の負感度成分の光を吸収する深さに設けられる第4のフォトダイオード、前記緑色の光の負感度成分の光を吸収する深さに設けられる第5のフォトダイオード、及び前記青色の光の負感度成分の光を吸収する深さに設けられる第6のフォトダイオードの少なくとも1つとを含み、 前記複数のフォトダイオードの各々に生じる前記電位差に応じた色信号を読み出す色信号読み出し回路を備える固体撮像素子。

IPC (3件)：

H01L27/146 ,  H01L31/10 ,  H04N9/07

FI (3件)：

H01L27/14 A ,  H04N9/07 A ,  H01L31/10 A

Fターム (14件)：

4M118AA01 ,  4M118AA05 ,  4M118AB01 ,  4M118BA14 ,  4M118CA03 ,  4M118DD12 ,  4M118FA06 ,  4M118GC08 ,  5C065BB42 ,  5C065BB48 ,  5C065CC01 ,  5F049MA02 ,  5F049NA10 ,  5F049NB05

引用特許：

出願人引用 (2件)

• 三重ウエル構造利用のアクティブピクセルセル結像アレーでのカラー分離
  公報種別：公表公報   出願番号：特願2000-546209   出願人：フォベオン・インク
• 特開昭61-187282号公報