特許
J-GLOBAL ID:200903044682950202
三重ウエル構造利用のアクティブピクセルセル結像アレーでのカラー分離
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
山崎 行造 (外2名)
公報種別:公表公報
出願番号(国際出願番号):特願2000-546209
公開番号(公開出願番号):特表2002-513145
出願日: 1999年03月31日
公開日(公表日): 2002年05月08日
要約:
【要約】カラー分離のために異なる波長(400-490nm、490-575nm、575-700nm)の光のシリコン内での吸収長さの違いを利用するデジタル結像装置である。望ましい結像アレー(102,104,106)は、三重ウエル構造(100)を利用する3原色ピクセルセンサに基づく。そのアレーによると、同一の位置において各ピクセル内で3原色(RGB)の各々を測定することによってからの偽信号を取り除くことができる。
請求項(抜粋):
異なる波長の光を分離するための第1導電型のシリコン基板内に形成されたカラーフォト検知構造であって、 前記シリコン基板内に形成された前記第1の導電型の反対の第2の導電型の第1のドープ処理された領域であって、該第1のドープ処理された領域と前記シリコン基板との間の結合が、第1の光波長のシリコン内でのほぼ光吸収長さのシリコン基板内の深さに形成されていて第1フォトダイオードを形成する第1のドープ処理された領域と、 該第1のドープ処理された領域内に形成された前記第1の導電型の第2のドープ処理された領域であって、該第2のドープ処理された領域と前記第1のドープ処理された領域との間の結合が、第2の光波長のシリコン内でのほぼ光吸収長さの前記第1のドープ処理された領域内の深さに形成されていて第2フォトダイオードを形成する第2のドープ処理された領域と、 該第2のドープ処理された領域内に形成された前記第2の導電型の第3のドープ処理された領域であって、該第3のドープ処理された領域と前記第2のドープ処理された領域との間の結合が、第3の光波長のシリコン内でのほぼ光吸収長さの前記第2のドープ処理された領域内の深さに形成されていて第3フォトダイオードを形成する第3のドープ処理された領域と、 前記第1、第2および第3のフォトダイオードを横切ってそれぞれ第1、第2および第3の光電流を測定するように接続されている光電流センサとを備えるカラーフォト検知構造。
Fターム (4件):
2G020AA08
, 2G020DA13
, 2G020DA32
, 2G020DA65
引用特許:
審査官引用 (2件)
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固体撮像装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平7-136842
出願人:浜松ホトニクス株式会社
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特開昭55-052277
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