特許
J-GLOBAL ID：200903029494978958

半導体装置

発明者：
上野 勝典

上野 勝典 について


出願人/特許権者：
富士電機デバイステクノロジー株式会社

富士電機デバイステクノロジー株式会社 について


代理人 (2件)： 松本 洋一 ,  山本 浩
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-257396
公開番号（公開出願番号）：特開2009-088326
出願日： 2007年10月01日
公開日（公表日）： 2009年04月23日
要約：
【課題】同一半導体基板に集積したMOSFETとショットキーダイオードのチップサイズを従来のものより大きくすることなく、高耐圧でしかも安価に作製できる半導体装置を提供すること。 【解決手段】MOSFETにショットキー接合を内蔵させるときに、ショットキー接合はMOSFETのpボディ領域6とゲート電極10と隔てられた場所に配置し、ショットキー接合の端部をp型の浅い接合によって囲まれるようにする。さらに、ショットキー接合の端部にある浅いp型接合20と、MOSFETのpボディ領域6との間がMOSゲートによって接続され、ゲートに負のバイアスが印加されると、MOSFETのpボディ領域6とショットキー接合の端部のp型領域20とが導電接続されるようにする。また、MOSFETのpボディ領域6内でソース領域と直接のコンタクトせず、前記ショットキー接合の端部のp型領域にMOSFETを介して電気的に接続される構造を有する。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
一導電型ドリフト領域と、該ドリフト領域の表面層に形成される他導電型ボディ領域と、該ボディ領域の表面層に形成される一導電型ソース領域と、前記ソース領域と前記ドリフト領域とにより挟まれる前記ボディ領域の表面にゲート絶縁膜を介して設けられるゲート電極を有し、前記ドリフト領域表面にショットキー接合を形成する電極が、前記ソース領域表面と同電位に接続されると共に、前記他導電型ボディ領域より浅く且つ前記ボディ領域とは離間して形成される他導電型ショットキー保護領域に接していることを特徴とする半導体装置。
IPC (8件)：
H01L 29/78 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/823 ,  H01L 27/06 ,  H01L 27/088 ,  H01L 29/47 ,  H01L 29/872 ,  H01L 29/12
FI (8件)：
H01L29/78 652N ,  H01L29/78 657A ,  H01L29/78 652D ,  H01L27/06 102A ,  H01L27/08 102E ,  H01L29/48 D ,  H01L29/48 E ,  H01L29/78 652T
Fターム (21件)：
4M104AA01 ,  4M104AA03 ,  4M104AA04 ,  4M104FF35 ,  4M104GG03 ,  4M104GG09 ,  4M104GG18 ,  5F048AA05 ,  5F048AC06 ,  5F048AC10 ,  5F048BA02 ,  5F048BA03 ,  5F048BA05 ,  5F048BA06 ,  5F048BA14 ,  5F048BA15 ,  5F048BC03 ,  5F048BC12 ,  5F048BD07 ,  5F048BF18 ,  5F048CB07
引用特許：
出願人引用 (5件)
全件表示
審査官引用 (5件)
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM