特許
J-GLOBAL ID：200903029499144753
半導体センサ及びその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
伊東 忠彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-130177
公開番号（公開出願番号）：特開2007-305659
出願日： 2006年05月09日
公開日（公表日）： 2007年11月22日
要約：
【課題】本発明はSOI基板を用いた半導体センサ及びその製造方法に関し、上部基板と支持基板との安定した電気的接続を図ることを課題とする。【解決手段】半導体材料(Si)よりなる支持基板11と上部基板13とが、絶縁材よりなる犠牲層12介して接合された構造を有する半導体センサにおいて、上部基板13前記に形成された貫通孔17と、犠牲層12の一部が除去されることにより形成された除去部18と、貫通孔17及び除去部18内に埋め込まれると共に、支持基板11及び上部基板13にオーミック接合された導電性部材16導電性部材とを設ける。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
半導体材料よりなる支持基板と上部基板とが、絶縁材よりなる犠牲層を介して接合された構造を有する半導体センサにおいて、
前記上部基板に形成された貫通孔と、
前記犠牲層の一部が除去されることにより形成された除去部と、
前記貫通孔及び前記除去部に埋め込まれると共に、前記支持基板及び前記上部基板にオーミック接合された導電性部材とを有することを特徴とする半導体センサ。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L29/84 Z
, G01P15/08 P
4M112AA02
, 4M112BA07
, 4M112CA21
, 4M112CA31
, 4M112DA02
, 4M112DA04
, 4M112DA10
, 4M112DA14
, 4M112EA02
, 4M112EA06
, 4M112EA11
, 4M112EA18
, 4M112FA20
