特許

J-GLOBAL ID：200903029503095282

ダイヤモンド電子素子

発明者： 林 和志 ,  橘 武史 ,  横田 嘉宏
出願人/特許権者： 株式会社神戸製鋼所
代理人 (1件)： 藤巻 正憲
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-370982
公開番号（公開出願番号）：特開2004-207272
出願日： 2002年12月20日
公開日（公表日）： 2004年07月22日
要約：

【課題】順方向抵抗及び逆方向漏れ電流が小さく、実効効率が高い高性能なダイヤモンド電子素子を提供する。【解決手段】ドーパント濃度が1×1017cm-3以上のn型半導体基板1上に、ドーパントをドープせずにアンドープダイヤモンド層2を形成し、アンドープダイヤモンド層2の上にホウ素を1×1019cm-3以上ドープして低抵抗のn型半導体にした高濃度ドープダイヤモンド層3を形成し、更に、高濃度ドープダイヤモンド層3の上には電極4を形成してダイヤモンド電子素子とする。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

n型半導体基板と、前記基板上に前記基板に接して形成されたアンドープの第1のダイヤモンド層と、前記第1のダイヤモンド層上に形成されドーパント濃度が1×1019cm-3以上である第2のダイヤモンド層と、を有することを特徴とするダイヤモンド電子素子。

IPC (3件)：

H01L29/861 ,  H01L29/16 ,  H01L33/00

FI (3件)：

H01L29/91 H ,  H01L29/16 ,  H01L33/00 A

Fターム (6件)：

5F041CA03 ,  5F041CA33 ,  5F041CA49 ,  5F041CA57 ,  5F041CA67 ,  5F041CA77

引用特許：

審査官引用 (3件)

• ダイヤモンドヘテロ接合整流素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-315611   出願人：株式会社神戸製鋼所, コウベ・スチール・ユーエスエイ・インコーポレイテッド
• 電子素子並びにそれを使用するダイオード、トランジスタ及びサイリスタ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-266325   出願人：株式会社神戸製鋼所
• 特開昭61-189671