特許
J-GLOBAL ID：200903029534771669
誘電体薄膜形成装置及び誘電体薄膜形成方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
松田 正道
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-293048
公開番号（公開出願番号）：特開平11-131238
出願日： 1997年10月24日
公開日（公表日）： 1999年05月18日
要約：
【要約】【課題】 誘電体成分を含むミストを基板に導き誘電体膜を均一に形成させる。また、ミストが付着する基板部以外のプロセスチャンバー内部のメンテナンスの低減及びスループットの向上を図る。さらに、微細パターンにおいての段差被覆性を向上させる。【解決手段】 プロセスチャンバー14内部のミスト噴出手段内部に、気流の流れを発生する回転する羽根を内部に持つシャワーヘッド15を採用する。また、基板19を設置するステージに、基板を置く部分の直下の内部ステージ16とその回りの外部ステージ17を設置し、内部ステージ16と外部ステージ17を同方向に回転させる機構を採用する。また、プロセスチャンバー内部壁や基板ステージ等の各部材の材料をミストの付着しにくい石英とする。さらに、キャリアガス配管の一部にミスト径を小さくするフィルターを取り付ける。
請求項（抜粋）：
誘電体を含む成膜用ミストを基板上に堆積させて成膜させるためのプロセスチャンバーと、前記プロセスチャンバーの内部に配置され、前記基板を載せて回転するステージと、前記ステージの上方に配置され、前記成膜用ミストを前記基板上に導入するシャワーヘッド型のミスト噴出手段とを備えることを特徴とする誘電体薄膜形成装置。
引用特許：
出願人引用 (8件)
全件表示
審査官引用 (8件)
全件表示
前のページに戻る
