特許

J-GLOBAL ID：200903029534781583

半導体装置の製造方法

発明者： 金森 順
出願人/特許権者： 沖電気工業株式会社
代理人 (1件)： 亀谷 美明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-153015
公開番号（公開出願番号）：特開平10-326831
出願日： 1997年05月26日
公開日（公表日）： 1998年12月08日
要約：

【要約】【課題】 微細加工や多層構造に適した半導体装置の配線の製造方法を提供する。【解決手段】 層間絶縁膜(108)上の無機材料マスク(110)によりコンタクトホール(116)を形成し,充填材膜(210)を塗布することによりコンタクトホール内に充填材を充填し,少なくとも無機材料マスクが露出するまで充填材膜を選択的にエッチングし,その後,無機材料マスクを選択的にエッチング除去するとともに,コンタクトホール内に残存する充填材を選択的にエッチング除去してから,コンタクトホール内に配線材料を充填する工程とから構成される。かかる構成によれば,充填材膜をコンタクトホールのエッチングマスクとして無機材料マスクをエッチング除去できるので,配線材料と無機材料マスクをそれぞれ異なる材料から構成することが可能となるとともに,配線構造が厚くならない。

請求項（抜粋）：

層間絶縁膜上に無機材料マスクを形成し,前記無機材料マスクにより前記層間絶縁膜にコンタクトホールを形成し,前記コンタクトホールに配線材料を充填する工程を含む,半導体装置の製造方法において:前記層間絶縁膜に形成された前記コンタクトホールに充填材を充填するとともに,前記無機材料マスクを覆うように前記充填材膜を塗布する工程と;少なくとも前記無機材料マスクが露出するまで前記充填材膜を選択的にエッチングする工程と;前記無機材料マスクを選択的にエッチング除去する工程と;前記コンタクトホール内に残存する前記充填材を選択的にエッチング除去する工程と;前記充填材が除去された前記コンタクトホール内に前記配線材料を充填する工程と;から成ることを特徴とする,半導体装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/768 ,  H01L 21/28 ,  H01L 21/3065

FI (3件)：

H01L 21/90 C ,  H01L 21/28 L ,  H01L 21/302 J

引用特許：

審査官引用 (3件)

• コンタクト形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-014388   出願人：エスジーエス-トムソンマイクロエレクトロニクス,インコーポレイテッド
• 特開平4-269829
  
• 特開平3-178129