特許
J-GLOBAL ID：200903029546430930

有機半導体装置

発明者：
長谷川 達生

長谷川 達生 について

, 
高橋 幸裕

高橋 幸裕 について

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阿部 恭

阿部 恭 について

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十倉 好紀

十倉 好紀 について


出願人/特許権者：
独立行政法人産業技術総合研究所

独立行政法人産業技術総合研究所 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-228575
公開番号（公開出願番号）：特開2006-049578
出願日： 2004年08月04日
公開日（公表日）： 2006年02月16日
要約：
【課題】 高移動度を有するN型有機トランジスタ、さらには電子をキャリヤとする高性能の有機半導体装置を実現するための電極を提供することを目的とする。【解決手段】 有機半導体層40と、有機半導体層との電気的接点を構成する電極であって、該有機半導体への電子の注入効率を高めるため、該電極、又は有機半導体と接する側の電極の一部が、該有機半導体を構成する分子材料と同一又は類似のイオン化エネルギーを持つ電子受容性分子材料に、電子供与性分子材料を組み合わせることによって導電性電荷移動型錯体を形成した電極2、3とを少なくとも有する有機半導体装置によって解決される。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
有機半導体層と、該有機半導体層との電気的接点を構成する電極であって、該有機半導体への電子の注入効率を高めるため、該電極、又は該有機半導体と接する側の電極の一部が、該有機半導体を構成する分子材料と同一又は類似のイオン化エネルギーを持つ電子受容性分子材料に、電子供与性分子材料を組み合わせることによって導電性電荷移動型錯体を形成した電極とを少なくとも有する有機半導体装置。
IPC (10件)：
H01L 51/05 ,  H01L 21/28 ,  H01L 21/285 ,  H01L 21/288 ,  H01L 27/08 ,  H01L 51/50 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  H01L 21/823 ,  H01L 27/092
FI (14件)：
H01L29/28 ,  H01L21/28 301B ,  H01L21/28 301Z ,  H01L21/285 P ,  H01L21/288 M ,  H01L21/288 Z ,  H01L27/08 331E ,  H05B33/14 A ,  H05B33/22 B ,  H01L29/78 618B ,  H01L29/78 616V ,  H01L29/78 616K ,  H01L29/78 613A ,  H01L27/08 321F
Fターム (47件)：
3K007AB05 ,  3K007DB03 ,  3K007FA01 ,  4M104AA03 ,  4M104AA09 ,  4M104AA10 ,  4M104BB36 ,  4M104DD34 ,  4M104DD51 ,  4M104GG04 ,  4M104GG05 ,  4M104GG08 ,  4M104HH16 ,  5F048AC04 ,  5F048BA14 ,  5F048BA16 ,  5F048BB04 ,  5F048BB11 ,  5F048BF01 ,  5F110AA01 ,  5F110BB02 ,  5F110BB04 ,  5F110CC01 ,  5F110CC03 ,  5F110CC05 ,  5F110CC07 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD05 ,  5F110DD12 ,  5F110DD13 ,  5F110DD14 ,  5F110EE02 ,  5F110EE43 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF27 ,  5F110GG05 ,  5F110GG12 ,  5F110GG25 ,  5F110GG28 ,  5F110GG29 ,  5F110HK01 ,  5F110HK17 ,  5F110HK32 ,  5F110QQ06
引用特許：
出願人引用 (3件)
  • 米国特許第5347144号明細書
  • 米国特許第5625199号明細書
  • 米国特許第652816号明細書
審査官引用 (1件)

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