絶縁膜

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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-354512
公開番号（公開出願番号）：特開2004-186610
出願日： 2002年12月06日
公開日（公表日）： 2004年07月02日
要約：

【課題】半導体装置の製造におけるSiO2、フッ素ドープSiO2、有機・無機SOG(Spin-on glass)材料、Low-k膜などからなる層間絶縁膜のドライエッチング加工時や、SiN、SiC、SiCNなどのバリアー膜のドライエッチング加工時に好ましく用いられるエッチングストッパーおよびハードマスクを得る。【解決手段】SiO2(酸化ケイ素)、 FSG(フッ素ドープ酸化ケイ素)、OSG(オルガノシリケートグラス)、SiOC(カーボンドープ酸化ケイ素)、MSQ(メチルシルセキスオキサン)系絶縁膜、HSQ(ハイドロジェンシルセスキオキサン)系絶縁膜、SOG(スピンオングラス)、ポリオルガノシロキサン系絶縁膜、Low-k(低誘電層間絶縁膜)、有機ポリマー低誘電層間絶縁膜より選ばれる膜とドライエッチング選択比を有することを特徴とする有機ケイ素ポリマーからなる比誘電率が4以下の絶縁膜。【選択図】なし

請求項（抜粋）：

酸化ケイ素、フッ素ドープ酸化ケイ素、オルガノシリケートグラス、カーボンドープ酸化ケイ素、チルシルセキスオキサン、ハイドロジェンシルセスキオキサン、スピンオングラス、ポリオルガノシロキサンおよび有機ポリマーから選ばれる化合物とドライエッチング選択比を有することを特徴とする有機ケイ素ポリマーからなる比誘電率が4以下の絶縁膜。

IPC (4件)：

H01L21/312 , C09D5/25 , C09D183/16 , H01L21/768

FI (4件)：

H01L21/312 C , C09D5/25 , C09D183/16 , H01L21/90 Q

Fターム (35件)：

4J038AA011 , 4J038DL031 , 4J038DL171 , 4J038HA446 , 4J038NA20 , 4J038NA21 , 5F033HH11 , 5F033JJ01 , 5F033JJ11 , 5F033MM02 , 5F033QQ09 , 5F033QQ11 , 5F033QQ25 , 5F033QQ28 , 5F033QQ35 , 5F033RR01 , 5F033RR04 , 5F033RR09 , 5F033RR11 , 5F033RR21 , 5F033RR22 , 5F033RR23 , 5F033RR24 , 5F033RR25 , 5F033SS15 , 5F033SS22 , 5F033TT01 , 5F033VV16 , 5F033XX03 , 5F033XX24 , 5F058AA10 , 5F058AC03 , 5F058AF04 , 5F058AG01 , 5F058AH02

引用特許：

審査官引用 (2件)

半導体装置の製造方法、及び半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-047358 出願人：日本電気株式会社
半導体装置および半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-322333 出願人：富士通株式会社

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