特許

J-GLOBAL ID：200903029593733932

低ガス圧プラズマエッチング方法

発明者： 高橋 千春 ,  神 好人 ,  小野 俊郎 ,  松尾 誠太郎
出願人/特許権者： 日本電信電話株式会社
代理人 (1件)： 山川 政樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-176313
公開番号（公開出願番号）：特開平10-022269
出願日： 1996年07月05日
公開日（公表日）： 1998年01月23日
要約：

【要約】【課題】 高精度な微細パターン形成を酸化珪素等とのエッチング選択性を高く取って行う。【解決手段】 図3は反応性ガスとして六フッ化硫黄ガス、四フッ化炭素ガス及び酸素ガスからなる混合ガスを用いたときのエッチング特性を示す図である。酸化珪素をマスクとして珪素のエッチングを5×10-4Torr以下のガス圧で行った。特性32から分かるように、四フッ化炭素ガスを混合すると、アンダーカットが減少する。また、特性34から分かるように、酸素ガスを混合すると、酸化珪素に対する選択比が増大する。したがって、四フッ化炭素ガス及び酸素ガスを混合することにより、酸化珪素との高い選択性を確保して単結晶珪素の垂直なパターンを形成することができる。

請求項（抜粋）：

反応性ガスを真空容器内に導入してプラズマを生成し、パターン加工を行う低ガス圧プラズマエッチング方法において、前記反応性ガスとして、ハロゲン元素の中でフッ素のみを含みかつ炭素を含まないガス、炭素を含みかつフッ素以外のハロゲン元素を含まないガスおよび酸素ガスからなる混合ガスを用いることを特徴とする低ガス圧プラズマエッチング方法。

IPC (2件)：

H01L 21/3065 ,  C23F 4/00

FI (2件)：

H01L 21/302 J ,  C23F 4/00 E

引用特許：

審査官引用 (3件)

• エッチングガス
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-353844   出願人：日本モトローラ株式会社
• 特開平1-120826
  
• 特開昭64-032627