特許
J-GLOBAL ID：200903029594749255
半導体発光素子およびその作製方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
中村 純之助
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-203219
公開番号（公開出願番号）：特開平8-070140
出願日： 1994年08月29日
公開日（公表日）： 1996年03月12日
要約：
【要約】【目的】同一の基板上に複数の色を発光し得る素子構造を作製することができ、発光素子のサイズの制約をなくし、単一の素子構造で多色化が可能な小型で高機能の半導体発光素子およびその製造方法を提供する。【構成】V族元素としてヒ素とリンを単独もしくは同時に含むIII-V族化合物半導体からなる素子構造の上に、V族元素として窒素を含む半導体からなる素子構造を直接成長した半導体発光素子。および、窒素を含む半導体からなる素子構造を作製する過程でプラズマにより生成した活性窒素原子を窒素の原料として用いる半導体発光素子の作製方法。【効果】プラズマによる活性窒素原子を用いるため窒化物半導体の成長温度を低くすることができるので、他の素子構造を破壊することなく、その上に窒化物半導体を成長させることが可能となる。
請求項（抜粋）：
V族元素としてヒ素とリンを単独もしくは同時に含むIII-V族化合物半導体からなる素子構造の上に、V族元素として窒素を含む半導体からなる素子構造を直接成長してなることを特徴とする半導体発光素子。
IPC (2件)：
引用特許：
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