特許
J-GLOBAL ID:200903029610022298
半導体装置
発明者:
,
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
森 哲也
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-351393
公開番号(公開出願番号):特開2000-292756
出願日: 1999年12月10日
公開日(公表日): 2000年10月20日
要約:
【要約】【課題】構成が簡素で、発振波長および光出力を一定とすることが可能な半導体光源装置を提供する。【解決手段】バイアス調整回路7は、半導体光変調器2からの光出力が一定になるようにバイアス調整を行う。例えば、経年変化によって半導体レーザ装置1からの光出力が低下した場合、光吸収電流検出回路6が光吸収電流の低下を検出すると、バイアス調整回路7は消光比を大きくして光出力が一定になるように、バイアスを小さくする。これにより、最終的にこの半導体光源装置から出力される光出力が一定になる。
請求項(抜粋):
半導体レーザ装置と、前記半導体レーザ装置からの出力光を変調する半導体光変調器と、前記半導体光変調器の光吸収電流を検出する検出手段と、前記半導体光変調器からの光出力が一定となるように、光吸収電流を考慮して前記半導体光変調器のバイアス電圧を調整するバイアス調整手段と、を有する半導体装置。
IPC (2件):
G02F 1/015 502
, H01S 5/50 630
FI (2件):
G02F 1/015 502
, H01S 5/50 630
Fターム (14件):
2H079AA02
, 2H079BA01
, 2H079CA05
, 2H079DA16
, 2H079FA01
, 2H079HA13
, 2H079KA18
, 5F073AB02
, 5F073AB06
, 5F073AB21
, 5F073BA01
, 5F073EA03
, 5F073GA02
, 5F073GA03
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