特許
J-GLOBAL ID：200903029614390712
半導体装置の製造方法とそれによる半導体装置およびこれを用いた電子機器
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
曾我 道照 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-113368
公開番号（公開出願番号）：特開2003-007909
出願日： 2002年04月16日
公開日（公表日）： 2003年01月10日
要約：
【要約】【課題】 簡単に貫通電極を有する半導体装置を得る。【解決手段】 この発明の半導体装置の製造方法は、表面の回路形成面に回路素子部2が形成された基板本体の裏面に支持板を貼り付ける工程と、基板本体に第1の溝部を形成する工程と、絶縁材料を用いて、半導体基板50の表面では絶縁膜17を形成し、また第1の溝部では孔を形成する工程と、電極部から孔の内壁に達する金属配線パターン8を形成する工程と、孔の底面を所定量除去する工程と、孔内に導電性材料を埋め込み貫通電極10を形成する工程と、第1の溝部内に第2の溝部を形成する工程とを備えている。
請求項（抜粋）：
表面の回路形成面に所定機能を有する回路素子部を複数個形成した基板本体の裏面に支持板を貼り付ける工程と、前記基板本体の回路素子部の周縁部あるいは回路素子部内の所定部分のどちらか少なくとも一方に前記支持板に達する第1の溝部を形成する工程と、絶縁材料を用いて、前記第1の溝部にその底部が支持板が露出する孔を形成する工程と、前記回路素子部に形成された電極部から前記孔の少なくとも内壁の一部に達する金属配線パターンを形成する工程と、前記孔の底面を所定量除去する工程と、前記孔内に前記回路形成面から突出するように導電性材料を埋め込み貫通電極を形成する工程と、前記回路素子部の周縁部に前記支持板に達する第2の溝部を形成する工程と、前記支持板を除去して複数個の半導体装置に分離する工程とを備えた半導体装置の製造方法。
IPC (3件)：
H01L 23/12 501
, H01L 23/12
, H01L 23/14
H01L 23/12 501 P
, H01L 23/12 B
, H01L 23/14 S
