特許

J-GLOBAL ID：200903029620601326

プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法

発明者： 鈴木 伸昌 ,  北川 英夫
出願人/特許権者： キヤノン株式会社
代理人 (2件)： 齋藤 和則 ,  伊東 哲也
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-237805
公開番号（公開出願番号）：特開2008-059991
出願日： 2006年09月01日
公開日（公表日）： 2008年03月13日
要約：

【課題】導波管の外周部及び中央部の表面波電界強度を強化して径方向の分布を調整し、表面波電界強度の高度の均一性を実現するプラズマ処理装置及びプラズマ処理方法を提供する。【解決手段】プラズマ処理室101を真空に排気して処理用ガスを導入した後、マイクロ波をプラズマ処理室101に導入してプラズマを発生し被処理基体102を処理するプラズマ処理装置(プラズマ処理方法)において、スロット付無終端環状導波管(導波管)108の内側円弧状スロット114aの中心線と外側円弧状スロット114bの中心線との間隔Lsを誘電体窓107の表面を伝播するマイクロ波の表面波の半波長の偶数倍にする。外側円弧状スロット114bの中心線と誘電体窓107の外周との間隔Leをマイクロ波の表面波の半波長の奇数倍にする。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

マイクロ波発生手段からマイクロ波を導入するマイクロ波導入手段と、 一部が誘電体窓で形成され、前記誘電体窓により大気側と分離されるプラズマ処理室と、 前記プラズマ処理室内に設置された被処理基体を支持する基体支持手段と、 前記プラズマ処理室内へ処理用ガスを導入するガス導入手段と、 前記プラズマ処理室内を排気する排気手段と、 前記誘電体窓に接して前記大気側に配置され、前記マイクロ波導入手段から前記誘電体窓を通して前記マイクロ波を前記プラズマ処理室内へ導入するスロットを有する導波管と、を有し、 前記スロットは径の異なる二種の同心円上に配置された内側円弧状スロット及び外側円弧状スロットから構成されるプラズマ処理装置であって、 前記内側円弧状スロットの中心線と前記外側円弧状スロットの中心線との間隔は前記誘電体窓の表面を伝播する前記マイクロ波の表面波の半波長の偶数倍であることを特徴とするプラズマ処理装置。

IPC (5件)：

H05H 1/46 ,  H01L 21/306 ,  H01L 21/205 ,  C23C 16/511 ,  H01L 21/304

FI (5件)：

H05H1/46 B ,  H01L21/302 101D ,  H01L21/205 ,  C23C16/511 ,  H01L21/304 645C

Fターム (55件)：

4K030AA06 ,  4K030AA14 ,  4K030AA18 ,  4K030BA40 ,  4K030BA44 ,  4K030CA04 ,  4K030CA07 ,  4K030CA12 ,  4K030FA01 ,  4K030JA03 ,  4K030KA30 ,  4K030LA11 ,  4K030LA15 ,  5F004AA01 ,  5F004AA14 ,  5F004BB14 ,  5F004BD01 ,  5F004BD04 ,  5F004DA00 ,  5F004DA01 ,  5F004DA02 ,  5F004DA03 ,  5F004DA04 ,  5F004DA05 ,  5F004DA06 ,  5F004DA17 ,  5F004DA18 ,  5F004DA24 ,  5F004DA25 ,  5F004DA26 ,  5F004DA27 ,  5F004DA28 ,  5F004DB02 ,  5F004DB03 ,  5F004DB26 ,  5F045AA09 ,  5F045AA20 ,  5F045AB01 ,  5F045AB03 ,  5F045AB04 ,  5F045AB06 ,  5F045AB10 ,  5F045AB31 ,  5F045AB32 ,  5F045AB33 ,  5F045AC02 ,  5F045AC03 ,  5F045AC05 ,  5F045AC07 ,  5F045AC16 ,  5F045AC17 ,  5F045BB02 ,  5F045DP04 ,  5F045EC01 ,  5F045EH03

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 円弧状スロット付無終端環状導波管、及びそれを用いたプラズマ処理装置及び処理方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-311052   出願人：キヤノン株式会社