特許
J-GLOBAL ID：200903035544662507

円弧状スロット付無終端環状導波管、及びそれを用いたプラズマ処理装置及び処理方法

発明者：
鈴木 伸昌

鈴木 伸昌 について


出願人/特許権者：
キヤノン株式会社

キヤノン株式会社 について


代理人 (1件)： 渡辺 勝 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-311052
公開番号（公開出願番号）：特開2000-138171
出願日： 1998年10月30日
公開日（公表日）： 2000年05月16日
要約：
【要約】【課題】 高圧領域で処理を行う場合でも、より低温でより高品質な処理を、より均一に行うことが可能になるように、大面積均一な平板状の高密度低電位プラズマを発生することができるマイクロ波プラズマ処理装置を提供する。【解決手段】 プラズマ処理室と、該プラズマ処理室内に設置された被処理基体を支持する手段と、該基体支持手段に対向して該プラズマ処理室の外部に配され誘電体窓を透してマイクロ波を該プラズマ処理室に導入するマイクロ波導入手段と、該プラズマ処理室内にガスを導入する手段と、該プラズマ処理室内を排気する手段とで構成されるプラズマ処理装置において、該マイクロ波導入手段は、平板状H面に所定の間隔で穿孔されて設けられた円弧状スロットを有する無終端環状導波管であることを特徴とするマイクロ波プラズマ処理装置。
請求項（抜粋）：
平板状H面に所定の間隔で穿孔されて設けられたスロットを有する無終端環状導波管において、マイクロ波の進行方向に沿って設けられたスロットが円弧状スロットであることを特徴とする無終端環状導波管。
IPC (4件)：
H01L 21/205 ,  H01L 21/31 ,  H01Q 13/20 ,  H05H 1/46
FI (4件)：
H01L 21/205 ,  H01L 21/31 C ,  H01Q 13/20 ,  H05H 1/46 B
Fターム (24件)：
5F045AA09 ,  5F045AB32 ,  5F045AB33 ,  5F045AC01 ,  5F045AC11 ,  5F045AC15 ,  5F045AC16 ,  5F045AE21 ,  5F045AE23 ,  5F045AE25 ,  5F045BB07 ,  5F045BB09 ,  5F045DP03 ,  5F045EH03 ,  5J045AA01 ,  5J045AA02 ,  5J045AB05 ,  5J045AB06 ,  5J045DA04 ,  5J045EA04 ,  5J045FA02 ,  5J045GA01 ,  5J045HA01 ,  5J045LA01
引用特許：
審査官引用 (6件)
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