特許
J-GLOBAL ID：200903029633618937
半導体圧力センサ及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
渡辺 正康 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-071211
公開番号（公開出願番号）：特開平8-274350
出願日： 1995年03月29日
公開日（公表日）： 1996年10月18日
要約：
【要約】【目的】 エピタキシャル成長の単結晶シリコンで構成され、精度、感度が良好な半導体圧力センサを提供するにある。【構成】 単結晶のシリコン基板と、該単結晶のシリコン基板に設けられエピタキシャル成長により作られた測定ダイアフラムを形成し該ダイアフラムへの過大圧印加に対するバックアップをなす所定の狭い隙間を有し密閉された空隙室と、前記単結晶のシリコンよりなる測定ダイアフラムに作り込まれた歪み検出素子とを具備したことを特徴とする半導体圧力センサである。
請求項（抜粋）：
単結晶のシリコン基板と、該単結晶のシリコン基板に設けられエピタキシャル成長により作られた測定ダイアフラムを形成し該ダイアフラムへの過大圧印加に対するバックアップをなす所定の狭い隙間を有し密閉された空隙室と、前記単結晶のシリコンよりなる測定ダイアフラムに作り込まれた歪み検出素子とを具備したことを特徴とする半導体圧力センサ。
IPC (3件)：
H01L 29/84
, G01L 9/04 101
, G01L 19/06 102
H01L 29/84 A
, G01L 9/04 101
, G01L 19/06 102
