特許

J-GLOBAL ID：200903029640627275

複合酸化物の結晶性薄膜の製造方法

発明者： 中村 孝
出願人/特許権者： ローム株式会社
代理人 (1件)： 古谷 栄男 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-142757
公開番号（公開出願番号）：特開平8-335676
出願日： 1995年06月09日
公開日（公表日）： 1996年12月17日
要約：

【要約】【目的】 強誘電体層の表面モフォロジを改善する。【構成】 図1Cに示すように、イリジウムの下部電極12の上に、スパッタ法によりチタンの核14を形成する。つぎに、図1Dに示すように、この下部電極12および核14の上に、ゾルゲル法を用いて、PZT膜8を形成する。PZT膜8を形成する前に、下部電極12の上にチタンの核14を形成することにより、このチタンの核14を中心として、PZT膜8が形成される。したがって、PZT膜8の緻密性が向上する。

請求項（抜粋）：

イリジウムを含む下部電極の上に、複合酸化物の結晶性薄膜を生成する方法であって、前記下部電極の一部に、前記結晶性薄膜の成分元素の核、または、この成分元素の酸化物の核を形成する核形成ステップ、前記核を形成した後、前記複合酸化物の結晶性薄膜を形成する結晶性薄膜形成ステップ、を備えたことを特徴とする複合酸化物の結晶性薄膜の製造方法。

IPC (13件)：

H01L 27/108 ,  H01L 21/8242 ,  C01G 25/00 ,  C30B 29/22 ,  H01B 3/00 ,  H01L 21/316 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H01L 27/10 451 ,  H01L 21/8247 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792 ,  H01L 41/24

FI (9件)：

H01L 27/10 651 ,  C01G 25/00 ,  C30B 29/22 Z ,  H01B 3/00 F ,  H01L 21/316 G ,  H01L 27/10 451 ,  H01L 27/04 C ,  H01L 29/78 371 ,  H01L 41/22 A

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 半導体装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-148046   出願人：テキサスインスツルメンツインコーポレイテツド
• 強誘電体キャパシタと、強誘電体キャパシタ及び強誘電体膜の形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-047863   出願人：日本テキサス・インスツルメンツ株式会社